Hg1-xMnxTe晶片电学参数的测量及分析

采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n型.通过理论分析对此现象进行了解释.分析表明:Hg1-xMnxTe晶片中电子迁移率与空穴迁移率的比值较大和Hg1-xMnxTe的禁带较窄是造成晶片导电类型转变的主要原因.对所测其它电学参数的理论分析表明范德堡法不适合用于Hg1-xMnxTe晶片室温时的载流子浓度和迁移率的测量,但仍可用其对晶片室温时的电阻率和霍尔系数进行测量.     

台风灾害致损情况分析及风险管理建议

正我国是受台风灾害影响较为严重的国家,平均每年登陆我国的台风有9.02次,远高于日本的年均2.6次,也高于菲律宾、印度尼西亚、马来西亚、越南、美国和澳大利亚等太平洋地区国家。台风常常带来大风、暴雨、风暴潮、滑坡、泥石流等其他灾害,导致房屋及建筑物倒塌或受损、农作物受灾、人员伤亡等。以2015年13号台风"苏迪罗"为例,2015年8月8日4时40分前后"苏迪罗"在中国台湾花莲县秀林乡沿海登陆,     

金属/Hg1-xMnxTe接触的I-V特性研究

分别采用溅射和蒸发镀膜法在Hg1-xMnxTe试样表面形成了Au/Hg1-xMnxTe和Al/Hg1-xMnxTe接触,并用Aligent4155c I-V测试仪对其I-V特性进行了测量,随后对试样在10%NH4F:10%H2O2:H2O中进行了钝化处理,并对处理后的试样再次进行了I-V测量,对于测试结果用热电子发射-扩散理论进行了分析.结果表明:Au与Hg1-xMnxTe形成了良好的欧姆接触,而Al与Hg1-xMnxTe形成了具有整流特性的肖特基接触,其肖特基势垒的理论推算值为0.38eV.钝化处理后的试样,其表面漏电现象明显降低,Au/Hg1-xMnxTe接触的电流下降幅度在0.1V时最大,为76.1%;而Al/Hg1-xMnxTe接触在0.2V时最大,为93.2%.随着偏压的进一步增大,两种接触的电流减小的幅度都逐渐变小.     

大数据给保险业带来的机会和挑战

<正>随着信息技术的发展,特别是近年来互联网、移动终端、物联网、云计算等新技术发展的突飞猛进,进一步催生了"大数据"时代的到来。大数据呈现出数据量大(Volume)、数据处理速度快(Velocity)、数据类型多样(Variety)、真实性更强(Veracity)的"4V"特征。大数据的出现,正在改变人们的生活及理解世界的方式,将成为经济社会发展新     

表面损伤层对Hg1-xMnxTe晶片电学参数的影响

采用范德堡法在77K下对多个Hg1-xMnxTe晶片化学抛光前后的电学性能进行了Hall测量。结果发现：与化学抛光后所测值相比，抛光前所测得的电阻率和霍尔系数值相对较小，而霍尔迁移率和载流子浓度相对较大，其中电阻率和霍尔迁移率在化学抛光前后变化幅度分别高达25％和31％，而霍尔系数和载流子浓度的变化幅度只有2％左右。化学抛光前，晶片表面损伤层内存在大量位错，对载流子的迁移造成散射，使得损伤层中的霍尔迁移率降低，但化学抛光前所测得的霍尔迁移率反而比抛光后的大，增幅最小的也达到了21％。本研究在3层模型的基础上，通过理论分析和计算，对这一反常现象以及化学抛光前后其它电学参数的变化进行了解释。     

稀磁半导体Hg0.89Mn0.11Te的微观缺陷腐蚀规律

以配比为 150mL饱和重铬酸钾水溶液比20mL HCl的腐蚀剂,对Hg0.89Mn0.11Te晶片以30s为单位,连续腐蚀了5次,对每次腐蚀后的表面形貌在光学显微镜和扫描电镜下分别进行了观察.所用晶片是采用垂直布里奇曼法生长而成,垂直晶锭轴向切割下的圆形晶片.结果表明:腐蚀30s后,可观察到清晰的晶界及Te夹杂.而位错蚀坑密度随着腐蚀时间增长,先是增大,后又开始逐步减少,在60s时达到一个峰值,120s后又处于稳定.位错蚀坑尺寸随着腐蚀时间增长一直是逐步增大的.说明晶片实际的位错蚀坑需要腐蚀120s后才可以观察到.通过化学腐蚀机理分析,对实验结果进行了解释.     

Zn基柱状ZnO取向生长机制

通过预氧化处理在Zn基底上制备了ZnO颗粒膜, 并由N₂H₄·H₂O-水热体系制备了Zn基柱状ZnO阵列。实验发现, 在Zn单一晶体学取向表面上柱状ZnO高度有序排列, 据此提出了Zn基柱状ZnO的自由生长取向机制。水热反应条件下, ZnO微晶通常具有沿c轴优先生长的结晶习性, 柱状体高度有序排列取决于ZnO晶核的状态。单一晶体学取向表面上晶核的状态一致, 决定了ZnO柱状体取向一致。Zn基柱状ZnO阵列光致发光谱分析表明, 在30~60 K之间, 近带边激子发射峰强度呈现反常温度依赖的“负热淬灭”现象, 该过程包含了两个无辐射过程和一个负热淬灭过程。     

Cu W合金触头的耐磨性

本文研究了含钨50wt％、60wt％、70wt％和80wt％的CuW合金的耐磨损性能及磨损机制。     

稀磁半导体Hg0.89Mn0.11Te的微观缺陷腐蚀规律

以配比为 150mL饱和重铬酸钾水溶液比20mL HCl的腐蚀剂,对Hg0.89Mn0.11Te晶片以30s为单位,连续腐蚀了5次,对每次腐蚀后的表面形貌在光学显微镜和扫描电镜下分别进行了观察.所用晶片是采用垂直布里奇曼法生长而成,垂直晶锭轴向切割下的圆形晶片.结果表明:腐蚀30s后,可观察到清晰的晶界及Te夹杂.而位错蚀坑密度随着腐蚀时间增长,先是增大,后又开始逐步减少,在60s时达到一个峰值,120s后又处于稳定.位错蚀坑尺寸随着腐蚀时间增长一直是逐步增大的.说明晶片实际的位错蚀坑需要腐蚀120s后才可以观察到.通过化学腐蚀机理分析,对实验结果进行了解释.