抑制剂对Hi-B钢初次再结晶组织的影响

模拟CSP工艺分别试制2种不同成分(试样A和试样B)的Hi-B钢,对比研究其初次再结晶退火(830℃×5min)后组织、织构及抑制剂等相关内容。利用Zeiss Axioplan光学显微镜观察试样金相组织,NOVA400Nano型场发射扫描电子显微镜(SEM)进行微观织构电子背散射衍射(EBSD)的数据采集,JEM-2100透射电子显微镜(TEM)观察析出物的形貌、大小及分布情况,同时借助选区电子衍射(SAED)及能谱仪(EDS)分析抑制剂。结果表明:试样A平均晶粒尺寸比试样B小;试样A析出物主要为Cu_2S和AlN,试样B则为MnS和AlN;试样A中Goss织构及{111}〈112〉等有利织构含量与试样B相比较多且分布更均匀,{110}〈112〉等不利织构含量则相对较少,且Σ3、Σ5、Σ9等有利晶界较多。     

冷轧压下率对Hi-B钢初次再结晶织构的影响

研究模拟CSP工艺试制Hi-B钢在不同冷轧压下率(73%、78%、83%、88%及93%)下对其初次再结晶退火(850℃,5 min)后织构的影响。使用Zeiss Axioplan金相显微镜观察组织,借助NOVA400 Nano SEM型场发射扫描电子显微镜进行微观织构EBSD(电子背散射技术)数据采集,利用二次萃取复型法制样并通过JEM-2100透射电子显微镜(TEM)及能谱仪(EDS)观察压下率为88%的初次再结晶样品中抑制剂析出情况。结果表明:Hi-B钢冷轧的最合适压下率约为88%,冷轧初次再结晶退火(850℃,5 min)后晶粒细小,组织良好,有一定的Goss晶粒,有利的{111}112织构含量较高和较多的∑9、∑3、∑5有利CSL晶界。抑制剂(主要为Cu2S)析出较多,平均尺寸大小约为50.15 nm,平均面分布密度约为1.54×109个/cm2。     

高温渗氮Hi-B钢二次再结晶中组织及织构演变

模拟CSP工艺试制Hi-B钢在二次再结晶过程中不同退火温度下的组织和织构。使用Zeiss Axioplan金相显微镜(OM)观察试样组织,借助于NOVA400Nano SEM型场发射扫描电子显微镜进行微观织构EBSD检测分析。结果表明:Goss晶粒在1 040℃发生异常长大,异常长大之前晶粒细小均匀,有利的{111}〈112〉和{411}〈148〉织构为主要织构,异常长大后部分晶粒发生快速长大,组织则以Goss织构为主。Goss织构及{111}〈112〉和{411}〈148〉织构的取向差分布主要集中在20°~45°之间,高能晶界理论(HE)能够解释Goss晶粒的异常长大。基体的CSL晶界比例较低,且移动性差的∑3晶界比例较高,移动性好的∑5、∑7、∑9晶界比例较低,CSL晶界理论对于Goss晶粒的异常长大则不具有说服力。