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有关碳化硅中SiC的红外分析法已见报道[1]。本文将试样直接称人瓷坩埚中,自动或手动输入试样重量后,在800℃灼烧去除游离碳及挥发份。以铁屑、钨粒作助熔剂[2],在高频红外碳硫仪上分析碳的含量,由此换算出SiC的含量。探讨了灼烧温度、灼烧时间及助熔剂的选用,建立了用高频红外碳硫仪分析碳化硅中SiC的新方法。方法简单、快速、准确、重现性好。1实验部分1.1仪器和试剂EMIA-620高频红外碳硫分析仪(日本HORIBA);电子天平(仪器附带,精度0.0001g);瓷坩埚(23×23)于900℃灼烧2… 相似文献
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本文主要介绍了一种新型小样品夹具的制作及使用方法,具有易于准确定位、分析精度高等优点,可用于分析多种形状的小断面样品,很好地扩大了光谱仪的应用范围。 相似文献
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