ZnO半导体气体传感器

气体传感器从其材料与结构来说是多种多样的,但简单而又实用的气敏元件多采用金属氧化物半导体作为原料,其中ZnO、SnO_2和γ—Fe_2O_3是常用的检测还原性气体的敏感材料。这三种金属氧化物是一种N型半导体,当其表面吸附了电子给予性气体分子(例如H_2、CO等气体)时,由于半导体与气体分子之间费米能级的差异,会使电子从吸附于表面的气体分子向半导体方向运动,因此N型半导体的载流子密度加大,导电率增     

Si_3N_4/Si半导体电极的研究

本文是关于将Si_3N_4/Si半导体作为离子选择电极的研究。一、Si_3N_4/Si电极的制作取电阻率2—3欧姆·厘米,100晶面的N型硅片,用HF腐蚀后,再用去离子水充分洗涤,然后在800℃条件下,使用标准硅烷和HN_3试剂,在硅片表面直接生成一层厚约     

Ln1-xSrxCoO3-y纳米晶厚膜型气敏传感器的研究

:研究了纳米晶Ln1-xSrxCoO3-y(Ln=La,Gd,x=0.5)的气敏特性,结果表明:纳米晶La05Sr05CoO3-y厚膜型气敏元件对乙醇具有较高的灵敏度和选择性,并具有加热功率和工作温度低等特点。     

一种新型的SnO_2半导体气体传感器

本文提出了一种制作SnO_2气敏元件的新方法。通常,检测还原性(或可燃性)气体的气敏元件是由N型金属氧化物半导体所构成。当这种半导体与还原性气体接触时,其电阻值下降。相反,与氧化性气体接触,而电阻则升高。由此可知,气敏元件的导电率受到所吸附的气体影响。     

衬底型离子敏感场效应晶体管

衬底型离子敏感场效应晶体管是一种化学敏感器件,它不同于普通的离子敏感场效应晶体管。这种器件的敏感膜是沉积在衬底的背面。敏感膜的活性区与测试溶液接触,引起漏源电流变化。本文从理论上推导出了衬底型器件漏源电流的计算式。     

衬底型离子敏感场效应晶体管(ISFET)

衬底型ISFET是一种化学敏感器件。沉积在衬底背面上的化学敏感膜(Si_3N_4、AgCl等)的活性区与测试溶液相接触。当溶液离子浓度发生变化时,器件的漏源电流会发生相应变化,本文推导出了这两者变化的关系式,并研制出了密封性较好、性能稳定的衬底型ISFET。