硅外延片中的杂质控制

有5类掺杂源影响硅的外延片中的杂质分布。主掺杂质控制外延层的杂质浓度，决定外延层的电阻率。固态外扩散、气相自掺杂和系统自掺杂影响衬底界面附近的外延层杂质浓度的深度分布。该文介绍了此3类掺杂源的掺杂过程和抑制方法。金属杂质在外延层中对器件有害，防止沾污和使用吸杂技术能降低金属杂质在外延层中的浓度。     

形成SIMOX结构的PIII新技术的研究

本文报道了一种形成ＳＩＭＯＸ结构的等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ）的新技术．与传统的离子注入相比，这种新技术具有高离子束流，大面积离子注入，极短的注入时间和低成本等优点．实验中，衬底硅片浸没在高离子密度的氧的等离子体中．在衬底所加的负高压的作用下，氧离子直接注入硅片之中．我们研究了ＰＩＩＩ的工艺条件，用ＰＩＩＩ制得了具有２０到５０ｎｍ厚的顶层硅层和２０到５０ｎｍ厚的氧化硅埋层的超薄ＳＩＭＯＸ硅片，并用ＲＢＳ、ＸＴＥＭ等技术对样品进行了测试．     

研磨倾斜角度对扩展电阻测试量值的影响

讨论了在检测半导体器件和集成电路芯片时,不同研磨倾斜角度对扩展电阻量值的影响。     

外吸除用硅片背面加工技术的研究

用SEM、TEM和光学显微镜研究了硅片背面的机械损伤（包括软损伤）和多晶硅的晶格结构,以及热处理过程中晶格结构和缺陷的演化,探索了吸杂的机理。实验结果表明,用本技术能减少S坑密度,提高硅片生产寿命,对金、铜等金属杂质有吸杂的效果。     

扩展电阻技术在硅,硅基材料测试中的应用

本文利用扩展电阻技术对半导体硅、硅基材料进行测试分析 ,从而用以开发新材料和评估材料的质量。     

硅中的缺陷和硅片热处理

本文评术了近年来着重研究的ＣＯＰ、ＬＳＴＤ、ＦＰＤ和ＢＭＤ等硅中的微缺陷。介绍了硅片在氢或氩气中高温退火对消除硅中微缺陷，提高ＧＯＩ合格率的实验结果。研究表明，硅片的高温退火是提高硅片质量的一种技术途径。     

薄层修正对扩展电阻测试结果的影响

本文讨论选用不同薄层修正方法对扩展电阻测试数据进行修正 ,而获取正确的扩展电阻测量结果。     

表征硅片中氧的深度分布的间接测试方法

本文介绍了利用硅中产生热施主的退火，结合磨角和扩展电阻测试，用硅片的电阻率变化的纵向分布，来间接发表征硅片中的氧的深度分布的测试方法。     

多晶硅吸杂效能的研究

用透射电镜（ＴＥＭ）、扫描电镜（ＳＥＭ）和光学显微镜研究了淀积在单晶衬底上的多晶硅层的吸杂能力。研究显示多晶硅还存在两种吸杂的效能：一是能增强内吸杂；二是即使多晶硅在工艺流程中耗尽，在衬底中产生的层错和位错会继续起着吸杂作用。     

硅外延层中的杂质

主掺杂质、固态外扩散杂质、气相自掺杂质、系统自掺杂质和金属杂质等五类杂质源是外延层中的常见杂质。主掺杂质决定外延层的电阻率。固态外扩散、气相自掺杂和系统自掺杂影响衬底界面附近的外延层杂质浓度的深度分布。金属杂质在外延层中对器件有害。本文系统地介绍了掺杂源的掺杂过程也给出了控制的方法。