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1.
针对气体裂变产物中微量77Kr的测量问题,利用MCNP模拟计算了气体裂变产物对77Kr的影响。结果表明,HPGe不可能直接测量气体样品中的77Kr,但可通过测量其子体77Br来推算77Kr。  相似文献   
2.
使用阱型高纯锗γ谱仪测量了待测滤材样品和参比溶液中241Am 59.5 keV和239Pu 129.3 keV的能峰计数比,结合参比溶液中已知的241Am/239Pu原子比数据给出了滤材样品的241Am/239Pu原子比,结果与滤材样品经化学处理后采用同位素稀释质谱法测量的241Am/239Pu原子比在不确定度范围内一致。  相似文献   
3.
中子诱发239Pu裂变的85Krm87Kr和88Kr的产额是重要的核参数,目前国外实验数据较少而国内尚未见实验报道。基于西安脉冲堆跑兔系统辐照Pu靶开展了热中子诱发239Pu裂变的85Krm87Kr和88Kr的产额测量研究。纯化后的钚溶液通过滴定后阴干的方式制靶,靶辐照后结合γ无损分析和气-固分离制源测量等方式测量裂变产物。采用有机玻璃扁平面源等效石英管源、不锈钢大面源等效气体源,并结合蒙特卡罗模拟实现了3类实验样品的γ能峰探测效率曲线的等效法刻度。以相同方式制备的235U靶开展气-固分离制源实验验证了钚靶中85Krm87Kr和88Kr气体释放率的一致性。根据实测目标产物与99Mo的相对产额,以ENDF/BⅧ.0评价数据库中...  相似文献   
4.
按照衰变规律,推导了裂变产物活度计算的通用公式。以PowerBuilder 10.0为工具,建立了裂变产物的独立产额、衰变路径和衰变信息数据库,开发了一用于计算裂变产物活度的通用程序。利用该程序计算了8种气体裂变产物的原子核数随时间的变化,结果与文献数据基本一致。本程序为与核裂变相关的裂变产物预先评估提供了一个便利的工具。  相似文献   
5.
240Am的半衰期对准确测量241Am(n,2n)240Am反应截面具有重要作用,当前评价的数据50.8(3) h是对240Am的987.8 keV γ射线用Ge(Li)探测器跟踪测量6 d的结果,测量时间不到3个半衰期,使得测量结果的不确定度偏大。本文利用Geant4模拟软件建立了阱型HPGe探测器的测量模型,模拟计算了不同Pb吸收厚度下240Am高能γ射线的探测效率,确定使用阱型HPGe探测器配合吸收X射线和低能γ射线的Pb吸收体可有效提高240Am高能γ射线的探测效率。根据Geant4模拟计算的结果,Pb吸收体厚度为1 mm时,对240Am的888.8 keV和987.8 keV两条特征γ射线的探测效率分别为14.1%和13.3%。在中国原子能科学研究院的HI-13串列加速器上通过242Pu(p,3n)反应生产了240Am,制备了约700 Bq的240Am测量源,用上述方法跟踪测量240Am的888.8 keV和987.8 keV两条特征γ射线的强度,时间超过18 d,用最小二乘法拟合得到其半衰期为50.79(5) h,结果与评价结果一致,但减小了不确定度。  相似文献   
6.
针对裂变产物气-固分离前后样品测量的预先评估需求,建立了相应的γ能谱模拟方法。采用修改独立产额数据库的方法实现了气-固分离前后裂变产物的活度计算,根据HPGe探测器测量γ能谱的原理推导了γ能峰面积计算公式,进而结合蒙特卡罗模拟软件和Power Builder10.0编程工具编制了模拟程序。利用该程序分别模拟了裂变产物无损测量和气体裂变产物测量能谱,结果与实测能谱基本相符。  相似文献   
7.
选用溶液蒸干靶、粉状靶和块状靶等三种铀靶作为研究对象,初步研究了三种靶中气体裂变产物氪、氙的释放率。在西安脉冲堆辐照三种铀靶后,分别在常压循环和吸附真空两种释放模式下释放裂变气体产物氪、氙。采用间接法测定各气体产物的释放率。由固体裂变产物得到的总裂变数计算各气体裂变产物的总核数,由释放的气体裂变产物实测释放的产物总核数,以上两值之比表征释放率。结果表明:气体裂变产物释放率在三种铀靶中差异较大,在块状靶中最低,说明氪、氙的释放率与靶件的化学形态密切相关,氪、氙产物独立产额的大小也是决定释放率的重要因素。  相似文献   
8.
利用MCNP模拟计算了大量气体裂变产物中微量123Xe的HPGeγ能谱,分析了气体裂变产物对123Xe测量的影响,结果表明:直接测量气体样品中的123Xe是不可能的,但可以通过测量其子体123I来推算123Xe,推荐的测量方法是:对原始气体样品不做Kr/Xe分离,衰变6.59 h后,将气体去除,再衰变2 h后,采用HPGe测量123I。  相似文献   
9.
一个将MCNP模拟结果转换为GammaVision能谱的程序   总被引:1,自引:0,他引:1  
研制了一个把MCNP计算的γ光子能量沉积的幅度分布转换为GammaVision格式的γ能谱的程序,从而可以利用GammaVision对模拟γ能谱进行分析和处理,为HPGeγ能谱的理论模拟提供了一个便利的工具。  相似文献   
10.
通过对244 Cm的α实验谱进行拟合得到单能峰的峰形参数,采用随机抽样技术表征谱计数的统计涨落,建立了一种模拟半导体α能谱的方法。利用该方法模拟238Pu和243Am的α能谱,与实验谱基本吻合,证明了方法的可靠性。在此基础上,研究了239Pu对237Np的α能峰的影响,结果表明,当239Pu与237Np的活度比A(239Pu)/A(237Np)≤10时,通过解谱得到的A(239Pu)/A(237Np)与设定值的相对偏差≤2.0%。对于A(239Pu)/A(237Np)约为3 000的样品,如果对钚的去污系数达到300以上,则可由α能谱法测量样品中的237 Np。  相似文献   
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