α粒子在硅内产生电子-空穴对平均能耗的测定

利用~(242)Cm,~(241)Am,~(239)Pu,~(210)Po α放射源测量了α粒子在金硅面垒型半导体探测器中产生一对电子-空穴所消耗的平均能量,得到ε=3.64±0.02电子伏,与国外的测量结果进行了比较。     

快中子能区~9σ_f/~5σ_f的测量

~(239)Pu作为一种用于快堆和核武器的重要的核燃料,它的裂变截面(记为~9σ_f)是一个很重要的数据,因此,近三十年来,人们用各种方法对这一数据进行了反复的测量。尽管如此,各家数据的分歧依然存在。由于~(235)U的裂变截面(记作~5σ_f)测量得比较仔细和系统,截面随能量的变化也比较平滑,常把~5σ_f作标准截面使用。因而通过测量~σ_f/~σ_f的比值即可定出~9σ_f。这样做的便利之处是避免了对中子通量的测量,修正量的考虑也可简单得多。值得注意的是,~(239)Pu是一种高α放射性的裂变物质,为了克服α堆垒脉冲对裂变计数的影响,必须在裂变室的设计与电子线路的使用上作一些特殊的考虑。为此,使用了上升时间快的快电离室与快线路系统。本工作的目的是在中子能量从30千电子伏到5.6兆电子伏和14—18兆电子伏区域内测量~(239)Pu和~(235)U裂变截面比值随中子能量变化的曲线,测量工作是在2.5兆伏静电加速器和600千伏高压倍加器上进行的。     

用慢化法测定铅的(n,2n)截面σ_(n,2n)、去弹性散射截面σ_(ne)和增殖

利用慢化法测定了铅对14兆电子伏中子的(n,2n)截面σ_(n,2n)、去弹性散射截面σ_(ne)和增殖因子M。其结果分别为:σ_(n,2n)=1.7±0.3靶;σ_(ne)=2.6±0.1靶;M=1.18。