复旦大学4MV质子静电加速器

一、前言复旦大学加速器实验室自行设计改建的4MV质子静电加速器。自1979年9月安装调试出束后进行了一些性能试验。加速器空载电压(无加速管)超过5MV,有加速管空载、最高试验电压为3.5MV,加速的质子最高能量为3.2MeV。束流脉冲化工作,     

α—tross He^—离子源的一项新改进

本文叙述对NEC生产的α-tross He~-源的一个重要零件——“Insert”的形状尺寸作出改进,使该源经常出现的一类故障发生的几率大为减少,从而使该源的寿命大大提高。目前经350 h的运行,情况仍然良好(原来寿命平均仅数十h)。     

碳团簇及C60负离子的产生

利有铯负离子溅射源和石墨阴极产生并引出了碳团簇负离子流，观察到了一些电子亲和势很小的团簇，用Ｃ６０／Ｃ７０混合物做阴极，也引出了Ｃ６０及其碎片的负离子束，分析了碳团簇负离子束流的质谱组成特点和束流变化的一些规律。     

电流型半导体探测器收集特性的测定

利用2.5MeV质子静电加速器调制成微秒宽度的单次脉冲束流,照射国产离子注入PIN及Au-Si面垒型探测器表面后,观察从示波器屏幕上同时拍摄的探测器输出波形和束流波形并加以比较,由此观察耗尽区内部电荷积累对平顶畸变、收集时间大小的影响及收集效率等参数。     

高能离子注入对聚酚亚胺薄膜硬度的影响

报道了聚酚亚胺薄膜在高能（６５０ｋｅＶ－２ＭｅＶ）Ｂ＋、Ｃ＋和Ｃｕ＋离子注入后硬度的变化。对注入样品进行了显微硬度测量和ＸＰＳ及ＲＢＳ分析，观察了硬度与离子种类、能量及注入剂量的依赖关系。结果表明，离子注入之后薄膜样品的显微硬度值明显提高，注入离子在样品中的电子能量损失对聚合物材料改性起着关键作用。ＸＰＳ和ＲＢＳ分析显示，离子注入之后聚酰亚胺薄膜中Ｃ的含量增加，形成了以苯环结构为主的新的交联网状结构。     

复旦大学质子静电加速器工作进展

复旦大学加速器实验室将2.5MV质子静电加速器改造成4MV,主体改造工作已于1979年9月完成。此后进行了一系列性能试验,空载电压(加速管充5个大气压的氮气)曾达到5MV。由于加速管的原因,粒子加速能量未能达到预定4MeV的指标。虽然调试时曾达到过稳定的3.2MeV,而实验工作时最高能量仅2.85MeV,本文就1981年以来的工作情况作一介绍。     

用串列静电加速器获取MeV高能团簇离子束

利用复旦大学现有的串列静电加速器（ＮＥＣ ９ＳＤＨ－２）获得了能量为１－４ＭｅＶ的硼、碳、硅及金等小型高能团簇离子束：Ｂｎ＾＋（ｎ＝２）、Ｃｎ＾＋（ｎ〈１０）、Ｓｉｎ＾＋（ｎ＝２，３，４）以及Ａｕｎ＾＋（ｎ＝２）；束流强度与团簇的种类和所含的原子数有关，为０．１－１００ｎＡ量级。注入加速器的低能团簇负离子由铯溅射离子源（ＳＮＩＣＳ Ⅱ）产生，高能团簇正离子的质量鉴别用磁分析器完成，高能碳团簇负离子     

复旦大学的3MV串列静电加速器(英文)

一台美国国家静电公司(NEC)制造的、端电压为3MV的9SDH-2型串列加速器于1987年在复旦大学安装并投入运行。本文叙述了机器本身以及在第一年运转中所出现的问题和经验。加速器建立了三条束流管线:一条是超高真空靶室系统,用它已进行了Al(100)清洁表面的研究;另一条是微米束系统,已能提供2μm的质子束;第三条为通用束线,已用它研究了~(56)Fe的核共振对KX射线产额的影响。目前,在该束线上还进行离子束分析,如用8.8MeV He~(++)进行高Tc超导体非卢瑟福散射实验等。