基于通用计算机和USRP的LTE通信系统开发与实现

为了解决软件仿真不能进行真实信道环境下的性能演示、不能测量真实通信系统的传输速率与时延等方面的弊端,研究了基于通用计算机和通用软件无线电外设USRP的LTE通信系统的实现方法;对系统的基本结构与原理进行了分析;采用通用计算机与软件无线电前端相结合的方式,由通用计算机完成基带处理功能,由USRP完成基带信号的射频收发,并采用开放空中接口OAI平台作为软件架构实现数据处理与系统控制;在5 MHz系统带宽配置场景下,对所研究的LTE系统进行了软、硬件调试、测试与验证,实现了完整的LTE通信系统的功能;此外,进一步开发和实现了支持包括电脑终端和商用终端在内的多用户接入场景;测试结果表明所搭建的LTE通信系统能够与公共互联网实现互联互通,并维持较为稳定的连接.     

智能垃圾桶

针对目前市场上各类垃圾桶功能单一,智能化程度低,更换垃圾袋工作量大,以及工作条件不卫生等问题,顺应机器智能化潮流,设计了一款智能垃圾桶。该垃圾桶由传送-隔断机构、开袋-封口机构、智能感应桶盖和测满学习模块等4部分组成,可以完成自动送袋、自动开袋、感应开盖和自动打包等一系列动作。同时,还具有智能学习测满能力,无需人工查看即可自动判断是否需要更换垃圾袋。实物样机的运行结果表明该垃圾桶有能耗低,自动化程度高,使用过程方便卫生等特点,可在使用过程中代替人工完成更换垃圾袋和打包的工作,大幅节省时间,具有良好的市场应用前景。     

位移损伤效应对AlGaN/GaN HEMT器件的影响

对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)分别进行3 MeV质子辐照和14 MeV中子辐照实验。3 MeV质子辐照下累积注量达到1×10¹⁵ cm^-2或14 MeV中子辐照下累积注量达到2×10¹³ cm^-2时，AlGaN/GaN HEMTs饱和漏电流下降，阈值电压正向漂移，峰值跨导降低。分别对3 MeV质子辐照和14 MeV中子辐照后的AlGaN/GaN HEMTs进行深能级瞬态谱(DLTS)测试。3 MeV质子辐照后缺陷浓度下降降低了反向栅极漏电流，而14 MeV中子辐照会导致缺陷浓度增加，使得反向栅极漏电流增加。根据质子和中子辐照后的缺陷能级均为(0.850±0.020) eV,推断缺陷类型均为氮间隙缺陷，质子辐照和中子辐照后氮间隙缺陷的位移导致的位移损伤效应是AlGaN/GaN HEMT器件电学性能退化的主要原因。