排序方式: 共有12条查询结果,搜索用时 250 毫秒
1.
2.
3.
采用低压金属有机化学气相沉积设备(LP-MOCVD)进行了最终组分为In0.17Ga0.83As的渐变缓冲层结构的生长实验,获得了可以应用于晶格失配太阳电池性能优良的渐变缓冲层材料,并采用透射电镜(TEM)和X射线双晶衍射(XRD)进行了结构的相关性质研究。TEM截面图像表明,穿透位错被很好地限制在渐变层的初始阶段,渐变层成功阻止了穿透位错向结构表层的传播;同时,在TEM的平面模式中,表面几乎观察不到穿透位错的存在,表明其表面穿透位错密度小于107 cm-2量级。XRD的倒空间衍射(RSM)测试表明,缓冲层和其上的有源层接近完全弛豫,弛豫度分别为93%和96%,有源层存在微弱的压应变,表面残留应变小于0.04%。后续采用渐变缓冲层的晶格失配太阳电池器件正在制作中。 相似文献
4.
通过介绍我国的空间环境探测与试验卫星太阳电池阵,着重阐述了体装组合板式小卫星太阳电池阵的设计。该方阵的设计针对体装式小卫星结构的具体特点和姿控方式,采用了组合板式的全方位布片模式,确保太阳阵在任何阳光入射角情况下均可稳定地为星上负载提供充足的功率和充电电流。为了解决由于天线、探头等突出物在太阳阵上产生局部阴影遮挡形成的“热斑效应”,采用了“整体二级管太阳电池”和“片型电流旁路器”,有效地消除了“热斑效应”。该太阳阵的设计思路和工艺方法为后继体装组合板式小卫星系列的发展提供了有益的经验。 相似文献
5.
用固定能量(100 keV)不同注量(1×1011-3×1012 cm-2)或固定注量(3×1012 cm-2)不同能量(50-170 keV)的质子,照射GaAs/Ge太阳电池,获得材料的光谱响应特性随质子能量和注量的变化关系.结果表明,质子辐照对材料的光学性能有破坏性的影响.这种破坏性源于质子辐照引入的大量缺陷,使晶格空间的完整性受到破坏,导致少子的扩散长度降低、表面复合速度增加.在质子能量相同的条件下,电池光学性能衰降随照射注量增大;在注量相同的条件下,辐射能量越高,太阳电池光学性能衰降越大. 相似文献
6.
7.
对GaAs/Ge太阳电池进行了质子辐射实验.质子辐射的能量为70~170 keV,辐射的剂量为1×109~3×1012 cm-2.研究结果表明,GaAs/Ge太阳电池具有一定的抗辐射性能;能量小于200 keV的质子辐射中,质子辐射能量相同条件下,随辐射剂量的增加,电池性能参数短路电流Isc、开路电压Uoc、最大功率Pm和填充因子FF衰降增大;质子辐射 剂量相同条件下,辐射能量越高,太阳电池性能衰降越大;在所有测试参数中,最大功率Pm的退化最为明显. 相似文献
8.
9.
10.