以激光为光源的发光分析方法

综述了近几年以激光为光源的发光分析方法.其中包括激光器和探测器,各种荧光分析装置及激光光谱的分析应用成就。后者中,特别重点介绍了荧光法、相干法、热透镜法、热偏差和热衍射法、感应击穿法、时间分辨荧光法等多种方法。这些内容对研制新型激光分析仪器及分析方法都有重要参考价值。     

β-γ反符合法测铀研究

我们开发了一种测铀的新方法。镭组和钍系许多元素在β蜕变后伴有γ蜕变,而铀组各元素却很少如此。据此,利用β-γ反符合技术压低镭组和钍系在测铀道的β贡献,相对突出铀组的β贡献,降低了镭钍对测铀的干扰,提高了测铀精度。本方法不但可以测量一般岩石样品中的铀含量,也能测量铀镭平衡破坏偏镭和钍铀含量比高的样品中的铀。实测表明,对于钍铀含量比高达11的样品,测铀的准确度仍符合规范要求。     

CMOS应用电路设计要点(二)

CMOS-RAM的特性和应用 CMOS-RAM常温等待时耗电非常小,64K位大容量存贮器最大耗电电流才0.2μA(高温时最大也只有1μA)。这就是说组成存贮器的每个MOS晶体管的泄漏电流小于0.5PA。因此,只用电池就可以把它做为微型计算机的数据存贮器、数据终端、电子现金出纳机以及袖珍电子计算机等里面的不挥发性存贮器,应用十分广泛。 CMOS-RAM的种类根据存贮容量CMOS-RAM大致分为四类,即1K位,4K位,16K位和64K位。另外,在大类中根据速度(存取时间)、耗电、特别是等待时耗电,又可细分类如表1。 1K位和4K位CMOS-RAM内部位构成主要是1位或4位,但是由于它多应用于小系     

由空间陷阱引出对“城中村”青少年成长环境的思考——以合肥市区为例

在"城中村"现象日益凸显以及随之而来的各种社会问题越来越尖锐的今天,社会给予更多关心的是拆迁安置、土地房产归属权等问题而忽视了其中一群特殊的弱势群体——"城中村"青少年,以及他们令人堪忧的成长环境。文章就此问题对合肥市区范围内的几片较典型"城中村"区域中青少年成长环境现状进行调研;在明确调查目的、背景、方法思路的前提下,通过预调研论证调研假设及课题的可行性;重点剖析各因素对青少年成长环境的影响程度;通过对前期大量工作成果的总结和完善,分阶段提出改良性意见。     

CMOS应用电路设计要点(三)

CMOS-RAM的特性和应用制做存贮器板需注意的问题前面讲了存贮器板的制造,然而这时还要注意: 同TTL逻辑电平的兼容 CMOS-RAM全部与TTL兼容输入,即由于设定高电平输入电压V_(IH)低于2.2V,所以TTL逻辑能直接驱动CMOS-RAM。但是在制造时CMOS-RAM的输入电路阀电压参     

低雷诺数下二维扩压叶型设计方法研究

本文通过数值模拟方法,对低雷诺数叶型设计方法进行了初步探索。结果表明,对于低来流马赫数,在叶型弯角一定的前提下,适当增大中弧线前段的曲率,减小吸力面曲线前段的曲率,可以有效的抑制流动分离。     

CMOS应用电路设计要点(四)——CMOS微型计算机的特点和应用

一、四位微型计算机的CMOS化及其应用 1.四位微型计算机(单片)概要在开发研究微机,特别是使用了单片的微机系统时,最合适的系统要从ROM和RAM的容量以及管脚数这两点来选择。ROM通常是1—4K字节,RAM通常是64—256个字节,管脚数多为28—42脚。     

使用阳离子界面活性剂浮选氢溴酸溶液中的金(Ⅲ)、铂(Ⅱ)、钯(Ⅱ)和汞(Ⅱ)离子

在此之前,著者曾报道过对氢溴酸中15种金属离子的浮选,但是并没涉及对金(Ⅲ)、铂(Ⅱ)、钯(Ⅱ)和汞(Ⅱ)离子的浮选,也没谈到金(Ⅲ)及铂(Ⅱ)的溶解成份。本文研究了在氢溴酸中的这些金属离子的浮选方法,浮选条件以及这些金属的溶解成份。     

CMOS应用电路设计要点(一)

CMOS器件的基础以低功耗和低电压驱动为标志开始活跃的CMOS器件,诞生以后十多年至今,由于引进超LSI技术,其集成化达到与日俱增的程度。特别它是不发热器件,作为超LSI十分引人注目。本讲座想对CMOS器件顺次说明其基本使用方法和各种型号的电气特性,并列举应用电路设计的实例等。对RAM、ROM和逻辑电路等基本CMOS器件以及门阵列和声音合成LSI等作广泛介绍。 CMOS器件的一般构造和特点 CMOS器件的基本构造和CMOS倒相器示于图1。通过在N型衬底上扩散硼等形成p