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用固定能量(100 keV)不同注量(1×1011-3×1012 cm-2)或固定注量(3×1012 cm-2)不同能量(50-170 keV)的质子,照射GaAs/Ge太阳电池,获得材料的光谱响应特性随质子能量和注量的变化关系.结果表明,质子辐照对材料的光学性能有破坏性的影响.这种破坏性源于质子辐照引入的大量缺陷,使晶格空间的完整性受到破坏,导致少子的扩散长度降低、表面复合速度增加.在质子能量相同的条件下,电池光学性能衰降随照射注量增大;在注量相同的条件下,辐射能量越高,太阳电池光学性能衰降越大. 相似文献
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根据针织服装标准规定的指标和测试方法,无法真实评估产品的起毛起球风险,存在严重的失真现象。比较GB/T 4802.1-2008《纺织品织物起毛起球性能的测定第1部分:圆轨迹法》规定的所有方法、GB/T 4802.2-2008《纺织品织物起毛起球性能的测定第2部分:改型马丁代尔法》以及ASTM D3512/D3512M-2010(2014)《Pilling Resistance and Other Related Surface Changes of Textile Fabrics:Random Tumble Pilling Tester》试验方法,结合消费者反馈的起毛起球投诉情况,摸索出更为合理有效的起毛起球测试方案,让企业提前了解和有效控制产品的起毛起球质量风险。 相似文献
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对GaAs/Ge太阳电池进行了质子辐射实验.质子辐射的能量为70～170 keV,辐射的剂量为1×109～3×1012 cm-2.研究结果表明,GaAs/Ge太阳电池具有一定的抗辐射性能;能量小于200 keV的质子辐射中,质子辐射能量相同条件下,随辐射剂量的增加,电池性能参数短路电流Isc、开路电压Uoc、最大功率Pm和填充因子FF衰降增大;质子辐射 剂量相同条件下,辐射能量越高,太阳电池性能衰降越大;在所有测试参数中,最大功率Pm的退化最为明显. 相似文献
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