硫酸甲醇体系中电解抛光钽的实验研究

采用硫酸甲醇体系对钽进行电解抛光,并对其抛光性能进行了研究,测定了不同配比时电解液中钽的阳极极化曲线,研究了电解液配比和电压对钽表面质量的影响.在搅拌速率为16 m/s、电解液温度为0℃、时间为3 min、硫酸甲醇体积比为1:7时,电压在20 V左右抛光效果较好、钽表面均方根粗糙度Rq小于30 nm,不仅能够满足钽材表面精饰加工需求,而且能够满足EOS靶用标准材料薄膜对表面质量要求.     

铜框架表面氧化过程及氧化膜厚度测量

在集成电路封装过程中,表面氧化是制约铜框架大批量应用于生产的主要原因,而框架表面氧化程度的测量和管控是铜框架应用于封装的关键点。本文运用金属氧化理论阐述了铜框架表面氧化过程及机理;进行铜框架烘烤氧化实验后测量框架表面的氧化膜厚度,通过对测量数据拟合得到铜框架氧化膜生长曲线,从而可以预测铜框架在封装过程中的氧化程度,为集成电路封装工艺的设计和管控提供依据。     

钽在硫酸-甲醇体系中的电抛光工艺研究

为制备出高温高压状态方程（EOS）研究中所需的高质量钽膜,采用硫酸 甲醇体系电解液对钽片进行电解抛光实验,测定了钽的阳极极化曲线,表征了钽样品抛光前后的表面形貌,分别研究了电解液配比、抛光电压、搅拌速率和电解液温度等因素对抛光效果的影响。抛光后钽表面均方根粗糙度和形貌测试结果表明,硫酸 甲醇体系适用于钽的电解抛光,并初步确定了钽的电解抛光工艺参数,即硫酸与甲醇体积比为1∶7,电解电压为15～20 V,温度为-10～0℃,搅拌速率大于8m/s。