排序方式: 共有10条查询结果,搜索用时 406 毫秒
1
1.
2.
3.
用~(159)Gd(i)与~(153)Gd(j)的生成率(B_i~o与B_j~o)和~(158)Gd与~(152)Gd的热中子俘获截面文献值(σ_i与σ_j)分别计算得到的照射处的表观中子通量(I_i与I_j)之间的比值R_(ij)称中子活化R矩阵元。~(175)Yb(k)与~(169)Yb(l)的生成率之比值R_(kl)称中子活化R矩阵元。R_(ij)的五个结果的平均值为1.66±0.05。R_(kl)之平均值为10.8,可以认为照射处的中子能谱接近于热中子能谱。 相似文献
4.
用~(175)Yb(i)与~(169)Yb(j)的生成率(B_i~0与B_j~0)和~(174)Yb与~(163)Yb的热中子俘获截面文献值(σ_i与σ_j)分别计算得出的照射处的表观中子通量(I_i与I_j)之间的比值R_(ij)不是预期的1而是文献值2.46。重复以上实验,由两个样品所得的R_(ij)值分别为2.52和2.45。B_i~0与B_j~0的误差均小于10%。由于~(163)Yb的共振积分与热中子俘获截面之比值8.3比~(174)Yb的(<0.10)为大,R_(ij)的 相似文献
5.
6.
7.
本文介绍用于超钚元素分离流程的高灵敏度监测装置和定量分析技术。采用NaI(T1)薄晶体双探头相加谱仪测定X射线和低能γ射线。采用Si(Au)面垒半导体流线监测器测定厚源α谱。描述了监测器的结构和电子仪器,厚源α谱特性的研究结果和定量刻度方法。给出了用于离子交换色层法提取~(248)Am和~(244)Cm流程的实验结果。NaI(T1)薄晶体双探头系统对~(243)Am总加入量的灵敏度好于0.1微居。Si(Au)面垒监测器对镅、锔浓度测定精度为±5%。各收集容器内镅、锔含量分析结果的精度为±10%。 相似文献
8.
9.
本文介绍用于超钚元素分离流程的高灵敏度监测装置和定量分析技术。采用NaI(Tl)薄晶体双探头相加谱仪测定X射线和低能γ射线。采用Si(Au)面垒半导体流线监测器测定厚源α谱。描述了监测器的结构和电子仪器。对厚源α谱特性的研究结果和定量刻度方法。给出了用于离子交换色层法提取~(243)Am和~(244)Gm流程所得的实验结果。NaI(Tl)薄晶体双探头系统对~(243)Am总加入量的灵敏度好于0.1微居。Si(Au)面垒监测器对镅、锔浓度测定精度为±5%。各收集容器内镅、锔含量的精度为±10%。 相似文献
10.
1