对辐射感应闭锁窗口现象的解释

中、大规模CMOS器件受到瞬态辐射时，出现了闭锁单窗口、多窗口现象。为了获得闭锁窗口的出现原因，借助对窗口现象的有关参考文献的研究，利用计算机电路模拟软件，分析了CMOS器件多个闭锁路径之间的相互作用。在此基础上，提出了解释窗口现象的“三径”闭锁模型。应指出的是，该闭锁模型还需要试验上的进一步验证与支持。     

CMOS集成电路的闭锁特性和闭锁窗口分析

由于布局结构的复杂性,CMOS集成电路可能存在多个潜在的寄生闭锁路径。各个闭锁路径因触发剂量率和闭锁维持电压、闭锁维持电流不同而相互影响．可能产生一个或多个闭锁窗口。在详细分析CMOS集成电路闭锁特性的基础上．建立了“三径”闭锁模型,对闭锁窗口现象进行了合理解释。     

计算机抗辐射加固性能评估技术研究（上）

简要叙述了CMOS工艺计算机总剂量辐射效应和计算机芯片总剂量辐射效应评估模型的建立,提出了一种计算机系统生存能力抗辐射评估的基本概念,给出了有关数据的收集与参量定义方法,以及计算机系统在核辐射环境下生存概率计算的结构函数模型。根据系统模型提出了如何由系统组成单元的数据求得系统的生存概率的理论方法,给出了一个具体实例的评估计算结果。该评估方法可以应用到实际武器计算机系统辐射效应评估中,也可以应用到其他种类的辐射效应评估工作。     

电子设备总剂量辐射屏蔽和防护技术

核爆产生的Ｘ射线和感生的核环境,对电子线路和电子系统会造成严重损伤。强调应用屏蔽防护的重要性,通过进行屏蔽哀减的计算,简述了屏蔽防护的工艺方法。研究表明：通过屏蔽防护厅以有效保护武器电子线路和电子系统的正常工作。     

小河沟流域综合治理在“5.23”暴雨中的拦蓄效益

根据小河沟流域“5.23”暴雨中的降雨、径流观测资料,结合调查进行分析计算的结果表明,流域内各项治理措施均收到了良好的拦泥蓄水效益,塬水不下沟,沟底淤地坝、塘坝和坡面的林草措施发挥了应有的拦蓄作用,与治理前相比,流域减水、减沙效益分别为87.2％和94.2％。     

双极晶体管脉冲中子辐射效应─瞬时退火实验研究

本文介绍了快脉冲堆瞬态辐照试验的瞬时退火结果。实验采用了合理的试验方法和监测系统。在国内首先测到了三极管中子辐照的瞬时退火曲线，并与国外有关实验结果作了比较。     

N80C196KC20芯片的X射线剂量增强效应

介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应.用Intel公司的N80C196KC20单片机芯片进行X射线、钴源总剂量辐照试验,测量了电源工作电流ICC,芯片的功能失效表征了它的总剂量响应.芯片在较低的总剂量水平发生功能失效,γ失效总剂量～165 Gy(Si).芯片失效时工作电流发生快速增长.实验测量了N80C196KC20单片机芯片的X射线剂量增强系数,研究了剂量增强效应机理.