Ⅲ-Ⅴ族绿、黄发光二极管与材料研究的新进展

一、前言 十多年前,可见光LED(发光二极管)的商品化标志着其工艺的成熟。然而在这一领域,科技工作者围绕着提高发光效率进行了不间断的努力,无论是对原有器件工艺的改进还是发光机理的研究,以及对深能级无辐射中心的形成和消除等条件的探索都大大地向前推进了一步。十年来,涉及这方面的资料是极其浩繁的,本文仅侧重于对绿、黄LED的进展作一简要的叙述。     

Au-Si与n-GaP欧姆接触的表面与界面特性

本文探讨了用Au-Si合金在n-GaP上形成欧姆接触的条件,用扫描电镜(SEM)研究了Au-Si电极表面的形貌及其随微合金温度、时间的变化情况。发现M-S接触的欧姆特性与表面微结晶状态有关。借助俄歇能谱(AES)和能量色散谱(EDAS)初步分析了Au-Si/n-GaP系统接触的界面含有Au-Ga金属间化合物以及P和Si杂质。从金属学观点解释了在微合金条件下界面反应、表面形貌的变化规律。实验结果表明,在最佳微合金条件下,Si-Ga替位扩散是获得良好欧姆接触的实质。     

LED光输出特性随管芯封装位置变化

借助2001型程控 LED 光电参数测试仪,分别测量了φ5和φ3两种系列 LED在相同封装条件下,LED 管芯位置高度不同对法向光输出强度及其空间角分布的影响,并从几何光学成像原理进行了分析。     

ICP-AES法测定塑料中的钙铅钡

本文叙述了 ICP-AES 法测定塑料中钙、铅、钡的过程,方法简便,RSD 为1.2～10%,回收率96～98%。     

GaP:N晶体中束缚激子的辐射跃迁及其能量转移

使用调QYAG:Nd激光器的三倍频脉冲光(λ=355nm)激发GaP:N晶体,测量了9.3～72.2K温度范围内样品的光致发光,研究了在10～250ns不同延迟时间的分辨光谱;借助瞬态谱仪和多道分析器测量了PL谱中NN_1、NN_2荧光强度衰减曲线。     

2005年OLED产值有望达到27.15亿美元

作为21世纪新颖的平板显示。OLED已部分替代10英寸以下的液晶显示和真空荧光显示器，尤其在较大屏幕显示方面具有很大潜力。未来新市场的拓展主要在可折叠式袖珍手机、计算机。个人数字化助理、电子成像机、多功能摄像机等.据Display Search研究报告，OLED产值2005年可望达到27．15亿美元，比2002年增长10倍.     

银及银铈合金触点表面性质的研究

电磁继电器长期连续工作时，继电器触点表面特性的变化将直接影响到工作系统的可靠性与稳定性。该研究借助Ｘ射线衍射仪（ＸＲＤ）分析银及银铈合金触点表面的组分，并利用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）观察其表面形貌，进而讨论了对继电器触点性质的影响因素。     

粉煤灰对混凝土收缩性能的影响与控制研究

本文着重研究了粉煤灰对混凝土的收缩性能的影响。试验结果表明：掺粉煤灰混凝土的早期收缩略有增加,而28d龄期的收缩就已小于基准混凝土。粉煤灰以超量方式掺入对混凝土的后期收缩抑制作用更加明显。     

LED伏安特性随X射线辐照的变化

测量Ｘ射线辐照对发光二极管正向电压和反向击穿电压的影响。分析了由Ｘ射线辐照引起ＬＥＤ伏安特性变化的机理。实验结果表明一定剂量Ｘ射线辐照有助于改善器件电学特性     

浅谈水泥安定性及其控制

分析了引发水泥体积安定性不良的机理，提出一些改善安定性的技术措施。