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掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究 总被引:2,自引:1,他引:2
测量了Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Ag2合金和充分退火的Ti,Al,Ag,V金属的正电子寿命谱,利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态的自由电子密度。TiAl合金的脆性与其基体和晶界缺陷处的自由电子密度较低有关。在富Ti的TiAl合金中加入V,V原子比Al和Ti原子能提供较多的自由电子参与形成金属键,因而提高了合金基体和晶界缺陷处的自由电子密度;在TiAl合金中加入Ag也有类似的效应。在TiAl合金中加入V和Ag,有利于提高合金的韧性。 相似文献
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本文在Tyson模型的基础上,应用点阵动力学线性响应的理论方法,导出了脆断发生时解理面上原子的响应位移,并进而给出金属脆断表面能的计算公式。这种处理方式既保持了解理断裂面是结晶的表现,避免了局域“熔化”和“沸腾”模拟脆断的简单模型中出现的非晶化问题,也对解理面上原子临界位移做了合理估计,避免了人为规定临界位移的随意性,同时,从理论上得出的脆断时产生的声发射信号与实际探测到的量级相近。用本文中发展的方法,计算了若干体心和面心立方金属的脆断表面能,其结果与实验值为同一数量级。 相似文献