EM-1发射度仪

本文介绍一台根据双缝法原理研制成功的发射度仪。     

X光透镜应用于蛋白大分子晶体衍射

采用Ｘ光透镜替代单色仪双聚焦镜应用于生物蛋白大分子晶体衍射分析,照射晶体样品的光强提高１－２个量级,衍射强度的提高远大于５倍,大大缩短了测试时间,分辨能力改善０．０２－０．０６ｎｍ,信噪比也有改善。     

X光透镜在X射线衍射中的应用

介绍了毛细管X光透镜的工作原理和物理特性。将微会聚X光透镜应用于四圆衍射仪,对直径为0．6,0．4和0．2mm的化合物晶体做了衍射对比试验。结果表明：在衍射分辨率和调光精度达到原来试验要求的前提下,三种尺寸的晶体衍射强度得到了不同程度的提高,其中直径为0．2mm的化合物晶体的衍射强度增益接近5倍。同时介绍了其在残余应力衍射分析中的应用。     

串列加速器电晕针稳压系统模拟实验研究

串列加速器加速的粒子种类繁多,束流强度变化很大(可相差五、六个量级),而能量稳定度可达万分之几。这主要是由于电晕针稳压系统用对数放大代替了静电加速器电晕针稳压系统的线性放大,克服了误差信号与束流强度有关的缺点,大大地压缩了动态范围。该系统结构简单、操作方便,特别在加速各种重粒子、弱束流情况下对能量稳定有很大意义。因而对串列加速器电晕针稳压系统进行研究是必要的。但串列加速器尚未建成,故在ЭГ-2.5静电加速器上作模拟实验研究,并为ЭГ-2.5静电加速器在小束流下稳定运行提供条件。     

用背散射技术测定超导材料Nb-Al和Nb-As样品的组分比及其深度分布

铌三铝(Nb_3Al)和铌三神(Nb_3As)都是超导材料,过去常用冶金方法得到。如果能用离子注入这种新工艺形成Nb_3-Al和Nb_3As并能改善或提高其超导性能,将是一件很有意义的工作。离子注入后是否形成这类超导合金,需要对样品作实验分析。我们用背散射技术分析了铌膜(由真空蒸发铌于微晶玻璃或石英玻璃底衬上形成)上注入适量的铝或砷,并经过不同退火条件处理的一批Nb-Al和Nb-As样品,实验结果如下:     

扩展电阻分析对砷在硅中本征扩散系数的研究

本文扼要叙述了扩展电阻分析用以测量较低浓度砷的剖面的有效性,进而研究了较低浓度砷在硅中的扩散问题.由于通过快速热退火对样品进行预处理,排除了辐照损伤对扩散系数测定的影响,从而测得砷在硅中本来意义下,即替位扩散意义下的本征扩散系数.如所预期,这组数据比国外直至目前所测得的数据要低.浓度剖面的实验数据由非线性扩散方程的数值解进行拟合.结果表明:SUPREM III所采用的模型在较高浓度区扩散系数随浓度递增速率较小,Hu理论仍然和本实验(?)较符合.本文还求得了扣除辐照损伤增强扩散效应后,砷在硅中的激活能为4.42eV     

用As离子注入法生成Nb(As)超导膜实验研究

用150keV的As离子大剂量注入到铌膜上,在一定条件下制备了超导膜。其超导转变温度为6.6 K。注入层的厚度约67 nm,用迭代扣普法求得了此层中的砷浓度分布,得到了Nb与As原子浓度的比值为2.2。此样品是富铌的Nb(As)超导膜,其超导转变温度比理想的Ti_3P结构的Nb_3As(Tc=0.3 K)高6.3 K。     

X光透镜在X射线衍射技术中的应用

用整体平行束X光透镜代替常规衍射仪的索拉狭缝和/或附加狭缝,入射和衍射X光强度可提高1.5―3.5倍,分辨率可达0.4°,可用于薄膜、粉末样品和离子束沉积样品的分析。将微会聚X光透镜应用于生物大分子衍射、高压X射线衍射、四圆X射线衍射3个不同的衍射领域,在相同X光源功率条件下,使用X光透镜后的衍射强度提高到原来的3―10倍,信噪比和分辨率有不同程度的改善。     

金属等离子体Z－Pinch软X射线源上X射线能谱与X射线能量的测量

本文介绍了国内首次利用针孔透射光栅谱仪对金属等离子体Ｚ箍缩Ｘ射线源能谱的测量结果及数据处理方法。同时用量热计对该源的单脉冲Ｘ射线能量进行了测量并讨论了其结果。     

注砷硅单晶的电子束退火

本文报道使用DT—1型电子束退火机对注砷单晶硅进行扫描电子束退火的实验研究。试验了电子束退火各种条件对结果的影响,以便选择较适宜的退火条件。用背散射法和微分电导法分别测得了未退火和经退火样品的杂质浓度分布和载流子浓度分布,显示出电子束退火的杂质再分布状况,并计算出注入砷的电激活率。此外,还进行了范德堡法霍耳效应测量,得到注入层的平均载流子浓度、平均迁移率和薄层载流子浓度。电子束退火样品与热退火样品作了比较。