淬火工艺对30MnSi钢筋显微组织的影响

研究了30MnSi钢热轧盘条淬火过程中的淬火温度、保温时间和冷却速率对显微组织的影响。结果表明,随着淬火温度的升高和保温时间的延长,试验钢筋组织中铁素体体积分数减少,组织细化;随着保温时间的延长和冷却速率的提高,铁素体体积分数均逐步递减。     

高折射率锐钛矿TiO2薄膜的低温直流磁控溅射制备技术

目的研究低温条件下高折射率锐钛矿结构TiO_2薄膜的制备条件及影响因素。方法用直流磁控溅射技术(DCMS)和改进的直流磁控溅射技术(能量过滤磁控溅射技术,EFMS)制备TiO_2薄膜。采用正交试验方法研究DCMS技术工艺参数对TiO_2薄膜的影响,确定了低温制备高折射率锐钛矿TiO_2的最优制备条件,在该最优制备条件下,又采用FEMS技术制备了TiO_2薄膜,并对比两种技术制备的薄膜。TiO_2薄膜的微结构用X射线衍射和Raman光谱衍射进行表征,样品的表面形貌用扫描电镜SEM进行观察,薄膜的光学特性用椭偏光谱仪测试、拟合处理得到。结果在较低的温度100℃下,利用DCMS和EFMS技术制备的TiO_2薄膜具备良好的单一锐钛矿结构。EFMS技术制备TiO_2的孔隙率为4.7%,550 nm处的折射率为2.47,平均晶粒尺寸为12.5 nm。经计算,DCMS和EFMS技术制备的TiO_2薄膜的光学带隙分别为3.08 e V和3.37 e V。结论利用DCMS技术和EFMS技术可在低温制备出锐钛矿TiO_2薄膜,EFMS技术制备的薄膜孔隙率较低,折射率较高,晶粒较均匀细小,光学带隙较大。     

杂质对方形量子点基态能和束缚能的影响

用有限差分法求解了二维方形量子点中有 杂质时的量子体系,得到了离散薛定谔方程。对体系中电子处于基态时的能量和杂质的束缚能进行了数值计算,讨论了不同间距的杂质离子对不同尺寸量子点中电子的基态能量和束缚能的影响。计算结果表明：量子点中电子基态能量是杂质位置和量子点尺度的函数;基态能量随着量子点尺度的增加先急剧减小后缓慢增大,最后趋于定值;杂质对电子的束缚能随着量子点尺度的增加而减小;杂质间距越小对量子点基态能影响越大。     

CuCl+离子注入α-Al2O3晶体退火前后的光学分析

CuCl 离子注入不同晶向的α Al2O3 晶体,在还原气氛下退火,对退火前后的试样进行了光吸收谱及荧光谱测量。结果发现不同晶向的α Al2O3 晶体在不同注入条件下在高能区段均有强的吸收,经不同温度下的退火,其吸收强度有不同程度的下降。通过光吸收谱的高斯拟合以及荧光谱的分析确认, CuCl 离子注入α Al2O3 晶体产生的点缺陷主要为 F心、F 心、F 22 心、F2 心、F 2 心。     

能量过滤磁控溅射技术制备Cu2O/TiO2复合薄膜及其光催化性能

目的制备具备良好光催化性能的Cu_2O/Ti O_2叠层复合薄膜。方法利用直流磁控溅射技术(DMS)和能量过滤直流磁控溅射技术(EFMS)在玻璃基底上制备Cu_2O/Ti O_2叠层复合薄膜,利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、椭偏仪和光催化测试系统表征和分析了薄膜的表面形貌、结构、透射率和光催化性能。结果 DMS技术和EFMS技术制备的Ti O_2和Cu_2O薄膜都有良好的结晶特性,其中Ti O_2为单一的锐钛矿结构。相对于DMS技术制备的Cu_2O薄膜,EFMS样品中的Cu_2O薄膜的衍射峰较弱,而且衍射峰的宽度变宽,衍射曲线比较平滑。薄膜表面较平整,颗粒均匀,较细小,边界明显。DMS和EFMS两种技术制备的薄膜的平均晶粒直径分别为15.4 nm和10.8 nm。透射光谱测试结果表明,EFMS技术制备的复合薄膜平均透射率较大,在350～800 nm范围内,平均透射率为0.388,DMS薄膜的值为0.343。对罗丹明B(Rh B)的光催化降解结果表明,EFMS技术制备的薄膜的降解速率为-0.00411,大于DMS技术制备的薄膜的降解速率-0.00334。结论 EFMS技术制备的Cu_2O/Ti O_2叠层复合薄膜对罗丹明B具有较大的光催化降解速率。     

物理开放实验教学初探

随着传统实验教学模式固有弊端的凸显,因材施教、分层教学的开放性实验教学模式已成为实验教学的发展方向。本文以培养具有扎实基础和创新能力的高素质人才为出发点,对物理实验室开放的形式,开放的实验内容,实验室开放的设想进行了分析探讨。     

注入Nb+的蓝宝石晶体退火前后的光学分析

将Nb⁺ 在不同条件下注入不同晶向的蓝宝石晶体，然后，在还原性气氛下退火，并对退火前后的蓝宝石晶体进行光学分析。分析结果表明，Nb⁺ 注入蓝宝石晶体产生的色心缺陷主要集中在紫外和可见光的高能区。通过对光吸收谱进行高斯拟合及荧光谱分析确认，引起吸收的点缺陷主要是F、F⁺、F₂、F⁺₂、F²⁺₂心等阴离子空位。退火可使这些色心点缺陷减少。退火温度越高，色心点缺陷减少越多，且减少的程度与注入温度有关。此外，700nm处的荧光峰随激发光波长变化而呈现出不同的变化趋势。     

含IPA的TMAH溶液对湿法腐蚀硅倒金字塔阵列微观形貌演化的研究

采用含异丙醇（IPA）的TMAH溶液腐蚀经Si_3N_4掩膜形成10μm×10μm窗口的单晶硅片。在硅片表面得到了内壁光滑的倒金字塔V型口阵列.研究发现：与纯TMAH对硅的各向异性腐蚀特性相比,添加IPA使TMAH溶液对硅各个晶面的腐蚀速率减小,致使含IPA的TMAH溶液对硅的腐蚀速率和各向异性因子比在纯TMAH中要小...     

Cu掺杂氧化锌氧化物的热学性能

基于线性响应的密度泛函微扰理论研究了Cu掺杂纤锌矿结构氧化物ZnO的热学参数和热学性能。结果表明,Cu掺杂导致ZnO氧化物晶胞减小;在计算温度区间,纯的ZnO和Cu掺杂的ZnO的晶格热容均随温度升高不断增大,Cu掺杂的ZnO具有较高的晶格热容;纯的ZnO和Cu掺杂ZnO的晶格热容在最高温度900K时分别达到69.1J·(mol-1·K-1)和152.8J·(mol-1·K-1)。纯的ZnO和Cu掺杂ZnO的德拜温度均随温度升高而不断增大;在175K以下,Cu掺杂ZnO体系的德拜温度高于未掺杂体系,在175K以上,Cu掺杂ZnO体系的德拜温度低于未掺杂体系。Cu掺杂在ZnO中引入了新的振动模式。Cu掺杂ZnO氧化物应具有较高的晶格热导率。