变温条件下HDPE/CB的正电子湮灭特性

对掺杂了25份（phr）导电炭黑（CB）的样品进行了正电子湮灭寿命谱的变温测量，在玻璃化转变温度以上，随着温度的增加，自由体积的大小线性增加，在玻璃化转变温度以下，自由体积的大小基本不变，o-Ps的强度在－40℃下基本不变，从－40℃以上开始增加，但在50℃以上上升有加快的趋势，与PTC材料的PTC现象和导电性能有一定的关联。     

GH903合金的离子注入表面改性研究

用离子注入、氧化和慢正电子束分析研究了ＧＨ９０３合金的氧化性能的改善与微观作用机理。注入的Ｃｒ＋．Ｙ＋的能量均为６０ｋｅＶ，注入的剂量分别由１ｘ１０１７．ｃｍ－２（Ｃｒ＋）、１ｘ１０１５Ｃｍ－２（Ｙ＋）和［１ｘ１０１５．ｃｍ－２（Ｙ＋）＋１ｘ１０１７·ｃｍ－２（Ｃｒ＋）］。结束显示，注入样品与未样品相比。氧化增重分别减少４．８％（注Ｃｒ＋）、２４．２％（注Ｙ＋）和３２．３％（注Ｙ＋＋Ｃｒ＋）。这表明合金氧化性能改善的作用机理主要是注入离子对样品浅表层内缺陷的填充与退火。同时，注入元素的化学性能和使样品表面更致密也起了重要作用。     

类金刚石薄膜的慢正电子分析

采用射频－直流等离子化学气相沉积法制备类金刚石薄膜,用慢正电子湮灭技术研究了类金刚石薄膜中缺陷的深度分布,并系统研究了工艺参数对类金刚石薄膜中缺陷浓度的影响．实验结果表明,单晶Si衬底具有很高的缺陷浓度,类金刚石薄膜中的缺陷浓度较低．且缺陷均匀分布,薄膜表面存在一缺陷浓度较高的薄层,而膜一基之间存在一很宽的界面层,界面层内缺陷浓度随离衬底表面距离的增加而线性降低,到达薄膜心部后,缺陷浓度趋于稳定．类金刚石薄膜的缺陷浓度和膜－基界面层宽度都随负偏压的升高呈先降低、后增加再降低的变化趋势．薄膜中的缺陷浓度随混合气体中C₂H₂含量的升高而单调增大,但C₂H₂含量对界面层宽度没有影响．     

Thermodynamic behavior of ^57Fe implanted into ZrO2（Y） by CEMS and slow positron beam

Ｔｈｅｒｍｏｄｙｎａｍｉｃｂｅｈａｖｉｏｒｏｆ~（５７）ＦｅｉｍｐｌａｎｔｅｄｉｎｔｏＺｒＯ_２（Ｙ）ｂｙＣＥＭＳａｎｄｓｌｏｗｐｏｓｉｔｒｏｎ　ｂｅａｍＺｈａｎｇＧｕｉ－Ｌｉｎ（张桂林），（ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＮｕｃｌｅａｒＲｅｓｅ...     

聚乙烯/碳黑复合导电材料的正电子谱学研究

在高密度聚乙烯（HDPE）中掺入碳黑（CB）可以显著提高其导电性能,而且碳黑含量的变化对导电性有很在影响。本文用正电子湮没技术研究了这种复合体系中自由体积随碳黑含量的变化规律,证实了碳黑颗粒处于非晶区的观点,并结合电阻率测量和差热分析的实验结果探讨了渗流阈值以及结晶度等问题。     

He^＋注入Si（100）缺陷退火效应的慢正电子束研究

用慢正电子束探针测量了经剂量为5×10     

慢正电子束研究质子辐照CLAM钢产生的缺陷及其退火行为

为了研究中国低活化马氏体CLAM钢的辐照损伤机理,本文利用慢正电子技术研究了质子辐照CLAM钢时所产生的缺陷及其退火回复行为,发现辐照在材料中产生空位团数密度随质子注量增加而增多,而其尺度增大并不明显.辐照仅产生原子尺度的空位和空位团,400℃退火可以使缺陷很好地消除.此外分析了硅对CLAM钢辐照性能的影响,实验上没有观察到硅的添加抑制了质子辐照缺陷的产生.     

钨发射慢正电子能谱测量

＾２２Ｎａ发射的正电子照射在经过２２００℃，１５ｍｉｎ退火的多晶钨箔上慢化并收集成慢正电子束，用平面减速栅能量分析器和通道电子倍增器测量能谱，测得在 １３３μＰａ的环境中，钨发射的慢正电子的能量峰位在１．７ｅＶ，自然宽度〉１．５ｅＶ。     

通道电子倍增器的性能研究

本文介绍用电子和正电子束流测试单通道电子倍增器的高压坪曲线、脉冲幅度分布和效率曲线;还用电子束流测试了阈电压和坪起始电压随电子能量的变化、增益随工作电压的变化、脉冲幅度与电子能量的关系、脉冲幅度和计数率随束流强度以及本底随工作电压的变化关系。     

脉冲慢束空间聚焦的SIMION模拟

用SIMION 7.0光学离子模拟软件对正电子在慢正电子束装置的静电及静磁场中的加速、输运、空间聚焦情况进行了模拟计算,初步得到了很好的空间聚焦模拟结果。对于加速能量为0.5～30keV的正电子束流聚焦半径控制在5 mm以下,满足了实验的需要。