反熔丝FPGA的电离总剂量效应与加固技术

简要叙述了商用FPGA用于空间领域时面临的抗电离总剂量加固总是，对Actel公司反熔丝FPGA的电离总剂量效应进行了较为详细的分析，包括制造了工艺，偏置条件，电泵对总剂量效应的影响，并特别指出，电泵的退化可能会对系统造成较为严重的后果，因此，必须重视加电后的瞬态变化，提出了可以采取的加固措施。     

N80C196KC20芯片的X射线剂量增强效应

介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应.用Intel公司的N80C196KC20单片机芯片进行X射线、钴源总剂量辐照试验,测量了电源工作电流ICC,芯片的功能失效表征了它的总剂量响应.芯片在较低的总剂量水平发生功能失效,γ失效总剂量～165 Gy(Si).芯片失效时工作电流发生快速增长.实验测量了N80C196KC20单片机芯片的X射线剂量增强系数,研究了剂量增强效应机理.     

计算机系统抗γ瞬时加固技术的研究现状

武器用计算机系统必须具备在核爆产生的辐射环境中的生存能力，而国外在计算机系统抗γ瞬时辐射加固技术方面的研究。可以作为我们开展这方面研究工作的参考。