正电子和反氢

从正电子出发，综述了近三年多来人们在物质和反氢方面的研究进展。     

用正电子湮没寿命方法研究低温镀铁层的结构和晶粒

低温电镀方法可在工件表面产生高硬度、耐磨的镀铁层,但工作于较高温度时耐磨性和硬度下降。本文研究在不同等时退火和等温退火条件下镀铁层内晶粒度、缺陷变化等情况。 在45号钢上用无刻蚀镀铁工艺产生0.5mm厚的镀铁层,经100～1200℃和10～420分钟的不同退火温度和退火时间热处理,平均寿命τ_m的变化见图1、2。     

用正电子湮没方法研究Fe_(38)Ni_(40)Mo_4B_(18)等非晶合金中空洞

实验所用非晶合金样品是由液态合金轧辊法制备的非晶薄带材,有Fe_(38)Ni_(40)Mo_4B_(18)、Fe_(32)Si_5B_(13)、(Fe_(0.5)Ni_(0.5))_(78)Si_8B_(14)、(Fe_(0.1)Ni_(0.3)Co_(0.55)Mo_(0.05))_(78)Si_8B_(14)等不同成分的非晶合金。各种材料又经过适当的热处理后完成非晶态的晶化过程作为相应的晶化样品。     

用PAT研究顺丁硫化胶在热空气中的结构变化

本文用正电子湮没技术(PAT)研究了陶土填充顺丁硫化胶(BR)在热空气中老化后的结构变化,分析了正电子湮没特性与硫化胶的交联密度、有序性、空穴大小及其分布。链段活动性等微观结构的关系,探讨了材料的玻璃化转变和大分子网构的变化,证明了正电子在顺丁硫化胶中的湮没特性与其表层的自由体积、有序性、T_g转变等有很好的相关性。     

充氢变形铁的变温正电子寿命谱研究

选用两对纯度为99.99％的退火铁样品1号和2号,将1号拉伸6.3％,2号拉伸10％,然后将1号样品用电解充氢法充氢两小时,充氢电流密度为64mA/cm~2,将两组样品分别从室温逐步升温至250℃,测量各温度下样品的正电子寿命谱。测量结果用positronfit程序进行三寿命分量的分解。     

正电子湮没技术对YAG/Nd晶体缺陷的研究

掺钕的钇铝石榴石Y_3Al_5O_(12)Nd(YAG/Nd)在位错密度较低时,晶体中心的高折射率心(核心)和色心是它的主要缺陷。用正电子寿命和多普勒增宽线形测量对YAG/Nd晶体进行研究,使用的寿命谱仪对~(60)Co的FWHM约为285ps,源~(22)Na约为10μCi,总计数为1×10~6,以三成分拟合,用Positronfit一Extended程序作数据处理。晶体样品1~#均匀性较差,2~#色心重,3~#和4~#均匀性较好。样品厚均为2mm,1~#、2~#、4~#经1400℃退火处理,降温速率为40℃/h.测量是沿晶体中心向边缘逐点进行。多普勒增宽线形S参数如图1所示。样品1~#的S参数变化无     

用CONTIN(PALS2)程序计算正电子湮没寿命谱

对基于Ｌａｐｌａｃｅ变换的大型正电子寿命解谱程序ＣＯＮＴＩＮ（ＰＡＬＳ２）的原理和使用作了简要说明，在实验基础上，对用ＣＯＮＴＩＮ（ＰＡＬＳ２）程序计算的结果进行了分析，并与用ＰＯＳＩＴＲＯＮＦＩＴ程序的结果进行了比较。     

热塑弹性体SEBS中溶剂影响的正电子谱学研究

利用正电子湮没寿命谱方法观察了因三嵌段共聚物(SEBS)浇铸成膜时所使用的溶剂不同给SEBS膜中自由体积的大小和浓度带来的影响,从而看到了由于微相分离结构的存在而对自由体积变化产生的影响。     

POSITRON LIFETIME DETERMINATION OF InP BY A HIGH RESOLUTION TIME SPECTROMETER

Positron lifetime was .measured on crystalline indium phosphide by a high resolution time spectrometer. By trapping model positron lifetime in bulk InP was estimated at 231.5±1.5 ps which was carefully compared with the experimental and the theoretical values known from the literature.     

a-SiH 热处理过程中纳米硅粒尺寸的控制(英文)

报道了控制热处理过程中含氢非晶硅中纳米硅颗粒大小的一种新方法。用喇曼散射、X射线衍射和计算机模拟,发现在非晶硅中所形成的纳米硅颗粒的大小,随着热退火过程中升温速率的变化而变化。在退火过程中,若非晶硅薄膜升温速率较高(～100℃/s),则所形成纳米硅粒的大小在1.6～15nm;若非晶硅薄膜升温速率较低(～1℃/s),则纳米硅粒大小在23～46nm。根据晶体生长理论,讨论了升温速率的高低与所形成的纳米硅颗粒大小的关系。