一种加偏压减小磁场对样品电流信号影响的方法

在用样品电流法测量X射线磁性圆二色谱中,外磁场的存在严重降低了样品电流信号.针对合肥NSRL软X射线磁性圆二色实验站内置式可旋转磁铁设计并安装一个紧靠磁极的高压金网,来增强磁场下的样品电流信号.发现不同磁场下随偏压升高,样品电流信号迅速增强并趋于饱和;磁场越强,达到饱和需要的偏压越高;比较相同磁场和偏压下均匀氧化的Al箔和CoFe薄膜正反磁场下的吸收谱,发现加磁场和偏压引入的系统误差仅相当于Co的圆二色值的2.17%;表明用这种方法进行X射线磁性圆二色谱的测量是可行的.     

XAFS方法研究纳米非晶态NiB和NiP合金的结构

不同退火温度处理后的纳米非晶态NiB和NiP合金催化剂XAFS和XRD的结果表明,在300℃温度退火后,纳米非晶态NiB合金晶化生成纳米晶Ni和晶态Ni3B中间态;纳米非晶态NiP合金直接晶化生成稳定的晶态Ni和Ni3P。在500℃温度退火后,NiB和NiP样品都晶化为金属Ni,但NiB样品中的Ni原子周围的局域结构与金属Ni箔的几乎相同,而NiP样品由于Ni原于受到元素P的影响,生成的晶态Ni的结构有较大的畸变,结构与金属Ni相差很大。     

高温原位XAFS研究熔态Sb的局域结构

利用高温原位XAFS技术研究了半金属Sb在固态和熔态时的局域结构特点。结果表明在893K高温时固态Sb的局域结构与常温(298K)时晶态Sb的相似,但其热无序度较大。随着温度再升高20K到熔化后的913K时,熔态Sb的主配位峰形状有较大变化,其强度仅为熔化前的70％左右。这一结果表明熔化导致Sb的结构无序显著增加,我们认为这是熔态Sb中Sb原子的第一近邻配位的大部分共价键断裂造成的。模型无关的Reverse Monte Carlo方法拟合计算结果也表明熔化引起Sb样品的第一近邻配位数由固态的6增加到熔态的9。当温度升高至1058K时,Sb样品的Sb原子的径向结构函数曲线的形状与913K的Sb样品的相似,说明在熔化后的100至200K的温度范围,熔态Sb中Sb原子的局域结构差别不大。     

同步辐射光源光束线光学元件碳污染原位清洗研究

通过采用射频等离子体对由于表面碳污染减少光通量的同步辐射光学元件进行原位清洗实验,利用质谱仪、X射线电子能谱对清洗过程以及表面变化进行监测,并对清洗过程截止点进行研究.结果表明射频等离子体清洗方法可有效去除严重影响光束线使用效率的碳污染,提高光束线使用效率;通过监测气体成分变化能为截止点判断提供有效依据.     

Si(111)衬底上多层石墨烯薄膜的外延生长

利用固源分子束外延(SSMBE)技术, 在Si(111)衬底上沉积碳原子外延生长石墨烯薄膜, 通过反射式高能电子衍射(RHEED)、红外吸收谱(FTIR)、拉曼光谱(RAMAN)和X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)等手段对不同衬底温度(400、600、700、800℃)生长的薄膜进行结构表征. RAMAN和NEXAFS结果表明: 在800℃下制备的薄膜具有石墨烯的特征, 而 400、600和700℃生长的样品为非晶或多晶碳薄膜. RHEED和FTIR结果表明, 沉积温度在600℃以下时C原子和衬底Si原子没有成键, 而衬底温度提升到700℃以上, 沉积的C原子会先和衬底Si原子反应形成SiC缓冲层, 且在800℃沉积时缓冲层质量较好. 因此在Si衬底上制备石墨烯薄膜需要较高的衬底温度和高质量的SiC缓冲层.     

荧光EXAFS研究镶嵌在SiO2中的Ge纳米晶的局域结构

用荧光扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)研究了磁控溅射法制备的镶嵌在SiO2中的Ge纳米晶的局域结构.结果表明,在Ge的摩尔分数为25%和60%的初始样品中,Ge原子主要是以非晶GeO2和Ge物相存在,其中在Ge的摩尔分数为25%的样品中,以GeO2物相为主.经1073 K退火后,样品中生成了Ge纳米晶.在Ge的摩尔分数为25%的样品中,Ge纳米晶只是来源于初始样品中的非晶Ge,而在Ge的摩尔分数为60%的样品中Ge纳米晶除了来源于初始样品中的非晶Ge外还来自于部分GeO2.进一步分析表明在Ge的摩尔分数为60%的样品中,有摩尔分数为20%的GeO2与来自衬底的Si发生还原反应生成Ge纳米晶.     

掠入射荧光XAFS研究Pt超薄膜的局域结构

利用荧光X射线吸收精细结构(XAFS)技术研究了厚度为3-105nm范围的分子束外延生长的Pt金属薄膜的局域结构。结果表明,30nm和105nm Pt薄膜的XAFS结果与多晶Pt箔的相似,在径向结构函数图中的2．6l、3．80、4．63、5．43A处出现第一、二、三和四配位壳层的配位峰,保持着Pt金属的面心立方结构特征。30nm Pt薄膜样品的结构参数：配位数N=11．9,键长R=2．77A,无序度σ^2=0．0055A^2。3nm和10nm Pt超薄膜的径向结构函数曲线中的第一配位峰形状与105nm Pt厚膜的相似,但强度明显降低,其结构参数分别为：N=10．1,R=2．78A^2,σ^2=0．0077A^2;N=11.3,R=2．77A,σ^2=0．0061A^2;同时其高壳层的配位峰近于消失,说明3nm和10nm Pt超薄膜的中程有序结构遭到较大影响,无序度明显增加。在350-800℃温度范围内生长的105nm Pt薄膜,其局域结构近似于Pt金属晶体。