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用于模拟固体中电子散射轨迹的蒙特卡洛方法已经在电子探针、电子束微分析和电子束光刻等领域得到极其广阔的应用。扫描电子显微学中,借助于该方法我们可以从理论上系统地研究二次电子和背散射电子的信号产生和发射过程,从而理解各种衬度形成的物理机制。 相似文献
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扫描电镜中的低能二次电子信号主要反映试样的表面形貌特征,而较高能量的背散射电子信号既包含了试样的表面信息,也可表征试样的结构差异和内部成分。对二次电子和背散射电子信号产生过程的计算模拟研究有助于理解扫描电子显微镜的成像机制和图像衬度机理,但现在的计算一般仅局限 相似文献
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扫描电子显微镜对于研究材料的表面形貌非常重要。低能二次电子主要反映试样的表面形貌特征,而较高能量的背散射电子既可在一定程度上反映试样的表面特征,也可表征试样的内部成分和结构差异。采用Monte Carlo计算模拟方法可以研究电子在有几何边界的试样表面附近及内部的相互作用过程,从而得到二次电子和背散射电子信号的各种分布,这将有助于理解扫描电子显微镜的成像机制和图像衬度机理。 相似文献
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Pt纳米颗粒/C基底体系是典型的纳米催化剂应用体系,本文采用蒙特卡罗方法模拟了该体系的扫描电子显微镜成像。给出了不同尺度的Pt纳米颗粒在C基底中不同深度下二次电子和背散射电子成像的衬度。计算结果显示:(1)在PI/C衬度的形成中,材料的原子序数衬度而不是形貌衬度起了主要作用:(2)只有分布在C基底表面或者表面以下很浅深度内(大约三倍颗粒直径)的Pt颗粒才可以在二次电子信号中被观察到,而背散射信号中则可以观察到更深的Pt颗粒(大约五倍颗粒直径);(3)当颗粒尺度小于几十纳米时。其二次电子信号衬度与通常微米尺度的情形有很大不同,最亮处位于颗粒的中央而不是边缘,且随着颗粒尺度的降低。二次电子产额绝对值也相应降低。 相似文献
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Uniform core-shell Eu3+:Y2O3/SiO2 spheres were synthesized via precipitation and the Stber method.The structural transition of core-shell Eu3+:Y2O3/SiO2 was studied by using high pressure photoluminescence spectra.With pressure increasing,the emission intensities of 5D0→7F0,1,2 transitions of Eu3+ ions decreased and the transition lines showed a red shift.The relative luminescence intensity ratio of 5D0→7F2 to 5D0→7F1 transitions decreased with increasing pressure,indicating lowering asymmetry around Eu3+ ions.During compression,structural transformation for cores in the present core-shell Eu3+:Y2O3/SiO2 sample from cubic to monoclinic took place at 7.5 GPa,and then the monoclinic structure turned into hexagonal above 15.2 GPa.After the pressure was released,the hexagonal structure transformed back to monoclinic and the monoclinic structure was kept stable to ambient pressure. 相似文献
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Electron beam lithography(EBL)has been playing an important role in the fabrication of large-scale integrated semiconductor devices because of its high resolution.Although high-energy electrons are widely employed in the present EBL system,high-energy electrons can penetrate through the resist layer,lose most of their energies in the substrate and,thus,cause damage to the underlying substrate. 相似文献
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Simulation of Auger electron image contrast formation is helpful for analyzing the images in scanning Auger microscopy/microanalysis(SAM),which provides elemental and chemical composition of surface and,thus,applies to the material evaluation and identification for many kinds of materials. 相似文献