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采用硅V型槽的一维光纤阵列的研制 总被引:3,自引:0,他引:3
阐述了一维光纤阵列的研制方法,分析了V型槽法中硅V型槽腐蚀机理,计算了V型槽的开口及间距与光纤半径及纤芯截面圆心距的关系,给出了最小槽深与光纤半径及V型槽开口的关系式。用各向异性腐蚀技术制作了硅V型槽,比较了紫外及红外粘接剂的性能,进行了光纤的排列、粘接及抛光,制作出一维光纤阵列。用原子力显微镜测量光纤阵列表面粗糙度为纳米量级,用ZYGO数字干涉仪检测光纤的端头位置误差为3~5 μm。该项工作为二维光纤阵列的高精度制备奠定了基础。 相似文献
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高精度长线列密排光纤阵列的制作研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文讨论了利用硅V型槽法制作高精度线性光纤阵列的可行性,介绍了硅V型槽制作机理,对影响器件精度的主要因素进行了分析,并在器件设计、制作中给予充分考虑。根据器件的可靠性要求,分析了用于光纤粘接的粘接剂应满足的特性,并对紫外固化胶和红外粘接剂进行实验对比,结果表明,Norland紫外固化胶和353ND红外粘接剂为最佳选择。用各向异性湿法腐蚀技术制作了硅V型槽,进行了光纤排列、定位及端面处理,制作出了高精度线性光纤阵列。对端面面型误差和表面粗糙度的测试后,结果表明光纤阵列端面纵向位置误差≤324 nm,表面粗糙度均方根值小于3.85nm。 相似文献
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在多丝正比室(MWPC)受到严重挑战的形势下,微网气体探测器(micromegas)以其响应时间快、计数能力高的优势而从各种新型的气体探测器中脱颖而出。本文介绍了利用两种方法制作微网气体探测器微结构的工艺,一种是利用准LIGA工艺,以SU8胶为绝缘层;另一种是利用干膜做绝缘层来制作微网气体探测器。对比分析了SU8胶和干膜对于制作微网气体探测器的优劣。实验证明,利用干膜制作的微网气体探测器性能更好。使用放射源55Fe对其能量分辨本领进行了实验研究,结果利用干膜制作的微网气体探测器得到了有效增益,测出了逃逸峰。另外,还分析了使用编织丝网和电铸镍网对微网气体探测器的影响,实验证明,电铸镍网更适合于微网气体探测器的性能要求。 相似文献
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在多丝正比室(MWPC)受到严重挑战的形势下,微网气体探测器(micromegas)以其响应时间快、计数能力高的优势而从各种新型的气体探测器中脱颖而出。本文介绍了利用两种方法制作微网气体探测器微结构的工艺,一种是利用准LIGA工艺,以SU8胶为绝缘层;另一种是利用干膜做绝缘层来制作微网气体探测器。对比分析了SU8胶和干膜对于制作微网气体探测器的优劣。实验证明,利用干膜制作的微网气体探测器性能更好。使用放射源55Fe对其能量分辨本领进行了实验研究,结果利用干膜制作的微网气体探测器得到了有效增益,测出了逃逸峰。另外,还分析了使用编织丝网和电铸镍网对微网气体探测器的影响,实验证明,电铸镍网更适合于微网气体探测器的性能要求。 相似文献
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