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为解决硅压阻式压力芯片灵敏度随着温度变化发生漂移的问题,本文设计了一种在片上集成温度补偿结构的压力芯片。在压力芯片上制备电阻温度系数(TCR)为负数的多晶硅电阻用于分压,调整不同温度下的惠斯通电桥端电压以达到灵敏度补偿的效果。本文的研究包含理论分析、参数计算,并进行了芯片制备和性能测试。性能测试结果表明,补偿后的耐高温封装传感器芯片在-50~270℃区间内,温漂为-0.034%FS/℃,简易封装传感器芯片在常温（-40~125℃）区间内的温漂为-0.008%FS/℃,该补偿芯片的温漂远小于无补偿的压力芯片。 相似文献
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