SiO_2、PSG膜在HF-PO_4~(3-)-H_2O体系中的腐蚀速率的研究

对化学汽相沉积(CVD)的SiO_2、PSG膜在HF-PO_4~(3-)-H_2O体系中的腐蚀速率作了研究。该体系与HF-NH_4F-H_2O体系相比,PSG膜的腐蚀速率及PSG膜与SiO_2膜的腐蚀速率比将会明显地下降。对实验结果在机理上作了定性的探讨。     

工艺模型与模拟

制作工艺的模拟,需要建立在物理计算和实际测量基础上的模型。     

基于FNN的覆冰机器人越障机械臂轨迹跟踪控制

覆冰机器人除冰时要跨越各种障碍物。采用卡尔曼滤波学习算法,将自适应模糊神经网络控制器用于覆冰机器人越障时的机械臂轨迹跟踪控制,解决了BP算法实时性差的问题。经过仿真实验论证,该方法对覆冰机器人越障时的机械臂轨迹跟踪控制具有很好的效果,表明控制策略和理论分析的可行性。     

磷硅玻璃膜的制备及最佳回流条件的选择

在减压化学汽相淀积反应器中,用650～700℃的温度范围和0.2～0.6乇的压力范围,采用正硅酸乙酯和磷酸三甲脂在氧气中的热分解,淀积了膜厚和含磷量均匀的磷硅玻璃膜。将含磷量为7％(重量)的磷硅玻璃膜在1,000℃以下的含磷气氛中进行熔融处理,使磷硅玻璃产生流动,获得了台阶坡度小于40°的平坦表面,较好地解决了铝膜的台阶复盖问题。本文描述了磷硅玻璃膜的制备,磷硅玻璃流动的机理,最佳回流条件的选择及磷硅玻璃回流技术在MOS器件中的实际应用。     

具有折式位线的HM4864

半导体IC生产迅速发展的重要原因在于大容量RAM已经能够大量地用在从大型计算机到游戏机等各种数字装置中。其中以体积小、价格便宜、已走向技术革新尖端行列的动态RAM数量最多。并且,现在正加快步伐把最先进的3μm技术用于64KDRAM的试制和生产。预计这种单5V电源器件在今后的数年内将促进数字机的进一步普及和发展。     

200 MW机组电气部分进入DCS的工程实践

介绍了靖远电厂2号机组热控技术改造中将电气控制纳入计算机分散控制系统(DCS)在设计、投运时遇到的实际问题及解决办法,探讨电气控制进入DCS存在的问题及发展设想.     

覆冰机器人控制系统研究

针对覆冰机器人除冰时的电机特性,设计一种基于DSP的全数字化控制器,给出了硬件电路和部分软件设计方案.该控制器采用DSP对机器人行走电机进行伺服控制,经过分析,该控制系统不仅成本低、结构简单、方便扩展,而且系统响应速度快、稳定性好.减少了电机体积,符合机器人在输电线路上的工作要求.