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1.
阐述了一种基于GPRs和嵌入式Linux的远程图像监控系统设计和实现方法。该系统主要由嵌入式视频采集终端和监控中心服务器组成。其中,嵌入式视频采集终端主要由摄像头视频采集模块、ARM模块、SIM900模块组成,监控中心服务器可实时监控远程终端的图像。系统软件采用嵌入式Linux,可编程实现图像数据采集、压缩和GPRs模块的网络连接与传输。  相似文献   
2.
李文钧  郝平 《山西煤炭》1997,17(5):61-64
水害是煤矿的五大自然灾害之一。近年来因各种原因,重大水灾事故时有发生,造成严重的经济损失和人员伤亡。现对大同市地方煤矿的水文地质条件和水害现状进行了分析研究,提出了相应的防治措施。  相似文献   
3.
张进贺  李文钧 《微电子学》2020,50(4):503-508
设计了一种易于集成、适用于驱动高侧N型开关管的栅极驱动器,该电路具有成本低、速度快、驱动能力强等特点,可以满足大尺寸高侧N型开关管的驱动需求。内置的、可持续工作的电荷泵能够驱动高侧N型开关管,使之恒定导通,解决了传统自举电路中低侧开关管不工作时高侧开关管输出电压不稳定的问题。该方案无需使用外置的自举电容,降低了栅极驱动器的使用成本和封装成本。采用0.18 μm BCD工艺进行设计,并成功流片。测试结果表明,该栅极驱动器可以驱动面积达0.5 mm2的高侧N型开关管,电路可靠性高。  相似文献   
4.
设计并制作了一种可应用于无线通信放大器的新型的图形化SOI LDMOSFET.该器件沟道下方的埋氧层是断开的.测试表明,输出特性曲线没有发现明显的翘曲效应,关态的击穿电压达13V,在VG=4V和VD=3.6V时fT为8GHz,直流和射频性能均优于同一芯片上相同工艺条件制备的体接触LDMOSFET.  相似文献   
5.
设计并制作了一种可应用于无线通信放大器的新型的图形化SOI LDMOSFET. 该器件沟道下方的埋氧层是断开的.测试表明,输出特性曲线没有发现明显的翘曲效应,关态的击穿电压达13V,在VG=4V和VD=3.6V时fT为8GHz,直流和射频性能均优于同一芯片上相同工艺条件制备的体接触LDMOSFET.  相似文献   
6.
设计并制备了一种新颖的在栅下开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET.该器件具有良好的直流和射频特性:输出曲线平滑,没有明显翘曲(kink)效应;静态击穿电压为13V;在栅漏偏压为3.6V时,截至频率为6GHz.负载牵引测试表明,该器件在1.5GHz时,PAE为50%,输出功率为27dBm,表明该器件适合射频功率放大器的应用.  相似文献   
7.
设计并制备了一种新颖的在栅下开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET.该器件具有良好的直流和射频特性:输出曲线平滑,没有明显翘曲(kink)效应;静态击穿电压为13V;在栅漏偏压为3.6V时,截至频率为6GHz.负载牵引测试表明,该器件在1.5GHz时,PAE为50%,输出功率为27dBm,表明该器件适合射频功率放大器的应用.  相似文献   
8.
为了便于对老人、儿童及智障者进行实时监护,给出了一种采用B/S架构设计的、适用于户外监护的系统设计方法。该系统由监护终端、通信链路、监控中心组成,系统集GPS定位技术、GPRS通信技术、摔倒检测技术为一体。监护终端通过GPRS将采集到的信息实时传输到服务器,以便于客户端可以随时通过WWW浏览器访问服务器的方式进行远程监护,从而达到预防走失和摔倒警报之目的。  相似文献   
9.
设计并制作了一种可应用于无线通信放大器的新型的图形化SOI LDMOSFET.该器件沟道下方的埋氧层是断开的.测试表明,输出特性曲线没有发现明显的翘曲效应,关态的击穿电压达13V,在VG=4V和VD=3.6V时fT为8GHz,直流和射频性能均优于同一芯片上相同工艺条件制备的体接触LDMOSFET.  相似文献   
10.
本文分析了液压机能源消耗的诸多因素,提出液压机运动能耗的概念和节能方案,并首次提出气液缸和二次调节技术两个能量回收技术方案,是液压机节能技术的新突破。  相似文献   
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