化学量传感器

ISFET是一种电位控制器件,又是一种阻抗变换器,输出信号大;其测量线路比较简单,形式很大。它们都是通过检测溶液与敏感膜间的界面电势差Φ的变化来测量待测离子活度(或浓度)的。本节予以综述。     

Ta_2O_5敏感膜H~＋－ISFET研究

在不用金作掩蔽膜的情况下,在氢氟酸混合液中对采用直流反应溅射方法制备的Ｔａ２Ｏ５薄膜进行选择性腐蚀,制成Ｔａ２Ｏ５膜Ｈ＋－ＩＳＦＥＴ。测试结果表明,该器件在灵敏度、线性范围、线性度、响应时间、滞后、时漂和选择性等方面普遍优于Ｓｉ３Ｎ４膜同类器件。可直接用于溶液的ｐＨ值测量。     

化学量传感器

<正> 二、pH-ISFET的基本结构与工作原理 氢离子敏场效应晶体管(pH-ISFET)与MOSFET的区别仅在于后者的金属栅被氢离子敏感膜所代替,二者都是建立在半导体表面场效应基础上的器件,有许多相似之处,因而可将MOSFET的理论分析及其结果直接用于对pH-ISFET的分析上。为此,有必要首先介绍一些MOSFET的有关问题。     

H+-ISFFT失效分析与工艺改进

H+-ISFFT失效分析与工艺改进     

化学量传感器 第四讲 离子敏场效应器件及其应用 十三离子敏场效应晶体管的应用(一)

<正> 随着ISFET性能的改进和种类的增多,有关其应用研究愈来愈深入。到目前为止,实验室内的应用研究已取得了可喜的进展;这予示着在不久的将来,在生物医学、临床诊断和分析化学等领域,此类器件必将得到广泛的应用。 目前国外主要研究将ISFET用于分析人和动物的体液。1983年在日本市场上出现了pH-ISFET和CO_2-FET的商品,美国和欧洲的工业界也开始致力于ISFET的研究和发展。ISFET在临床上应用的难度较大,其主要原因是:目前ISFET的性能尚不够完善,有时还不能全面满足临床测量     

化学量传感器

四、pH-ISFET敏感膜制备 如前所述,离子敏器件敏感膜的质量直接影响着器件的响应灵敏度、阈值电压等一系列性能参数及其稳定性。因此,在电学性能合格的场效应管上制作高质量的敏感膜就成了ISFET制作的最关键工序之     

Ta2O5敏感膜H^＋—ISFET研究

在不用金作掩蔽膜的情况下，在氢氟酸混合液中对采用直流反应溅射方法制备的Ｔａ２Ｏ５薄膜进行选择性腐蚀，制成Ｔａ２Ｏ５膜Ｈ＾＋－ＩＳＦＥＴ．测试结果表明，该器件在灵敏度，线性范围，线性度，响应时间，滞后，时漂和选择性等方面普遍优于Ｓｉ３Ｎ４膜同类器件。可直接用于溶液的ＰＨ值测量。     

化学量传感器

<正> 随着ISFET的有关研究日益深化及器件稳定性、可靠性的不断提高,在越来越多的场合下可以用其取代传统的离子选择电极(ISE),同时由于其小型、快速的特点,又开辟了许多新的应用领域。随之对ISFET的封装结构也提出了多方面的要求。从实用化、商品化的角度来看,不仅要求封装结构必须保证器件良好的密封     

化学量传感器

<正> 三、pH-ISFET的设计与制作 (一)pH-ISFET的设计原则 pH-ISFET的设计原则与普通MOS-FET基本相同,后者已是较为普及的知识,故此处着重讨论pH-ISFET设计中需特殊考虑的问题。 1.材料选择 材料选择包括材料的导电类型、电阻率、晶向等方面。器件电学参数的要求则是选择的依据。