磷掺杂比例对a-Si∶H薄膜太阳电池窗口层光电性能的影响

采用RF-PECVD法制备了磷掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜作为太阳电池窗口层.通过椭偏仪、Keithley 4200对所制备样品进行分析测试,研究了不同掺杂比例对非晶硅薄膜沉积速率、消光系数、折射率、光学带隙及电导率等的影响.实验表明:薄膜沉积速率随掺杂浓度升高先减小再增大;薄膜消光系数、折射率及禁带宽度随掺杂浓度升高呈现先减小后增大再减小的现象;电导率则先增大后减小再增大.     

非接触式触摸屏系统的设计

针对目前触摸屏必须接触式控制的缺陷,提出了一种基于图像处理技术的新型触摸屏系统。该系统以微软VX—6000USB2.0摄像头为图像传感器,由PC机采集图像序列,识别和跟踪定位激光光斑,并对用户的指点控制信息做出相应反应。阐述了该系统结构及定位原理,使用基于OpenCV（open source computer vision library）的图像处理算法辅助开发其软件系统。提出一种基于边界修复的图像二次校正法,通过对训练样本的测量发现,系统拥有很好的指点精度。实验结果表明,所设计触摸屏系统能够初步实现非接触式指点的要求,为大屏幕挂壁式非接触式触摸屏系统的研究提供了有效的思路。     

a-SiCdTe∶H薄膜做液晶光阀光敏层的光学特性研究

采用射频磁控溅射法制备了用于液晶光阀光敏层的a-Si1-x(CdTe)x∶H薄膜.研究了CdTe含量对氢化非晶硅薄膜光学性能的影响.采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱(XPS)、椭偏仪等测试手段对薄膜的表面形貌、成分和光学性能进行了表征.结果表明,薄膜的折射率和吸收系数均随x值的增大而增大;而光学带隙E.pt随x值的增大从2.01 eV降到1.75 eV.薄膜在可见光范围内透过率随着x值的增大而有所降低,且吸收边发生红移.     

轻掺杂氢化非晶硅的制备与光电性能研究

采用等离子体化学气相沉积(PECVD)法,以高纯度硅烷(SiH4)为反应气体,硼烷(B2H6)为掺杂气体,在ITO玻璃衬底上制备出硼轻掺杂浓度的氢化非晶硅(a-Si∶H)半导体薄膜。测量了样品的光暗电导率、折射率、消光系数、禁带宽度随掺杂浓度的变化。结果表明:随着硼掺杂浓度的增加,薄膜的暗电导率先减小后增大。消光系数、禁带宽度等都随着掺杂浓度的增加而变化。在不同工艺条件下,改变硼掺杂浓度,确定了最佳掺杂比(光暗电导率之比最大),制备出适合器件级轻掺杂氢化非晶硅薄膜光敏层。     

Ar环境下氢化非晶锗硅的制备与特性研究

采用RF-PECVD法在氩环境下制备了Ge掺杂a-Si∶H.将样品通过台阶仪、傅里叶红外光谱仪、紫外可见光分光光度计以及Keithley高阻仪进行分析测试,研究了不同掺杂比例对非晶硅薄膜沉积速率、结构因子、光学带隙及光暗电导率的影响.实验表明:薄膜沉积速率随掺杂量的增大而增大;薄膜结构因子随掺杂量的增大而减小;薄膜对可见光的吸收随掺杂量的增大出现红移,光学带隙减小;掺杂比例较低时,薄膜光暗电导率变化不明显,当GeH4量达20 cm3/min时,薄膜暗电导明显增大,光暗电导比减小.     

纳米粒网络对于手性液晶反射光谱的展宽效应

依据分子呈螺旋型排列的介质的电磁场解计算了给定厚度的手性液晶的光谱反射率与其双折射的关系,依据布拉格反射的干涉条件计算了斜入射光的布拉格反射光谱的蓝移。从中发现:(1)若液晶的双折射大于0.2,液晶层的厚度达到3μm就可使反射率高于90%;(2)若要以液晶的平面态实现整个光谱范围的布拉格反射,液晶的双折射应当达到0.6以上;(3)入射角达到60°时手性液晶的反射光谱蓝移可达到100nm。然而,商品手性液晶的双折射只有0.2左右,为了将这样的手性液晶用于在整个可见光谱反射的显示器件,就需要在液晶中引入聚合物网络,并在玻璃基片表面实现聚合物的凹凸结构。网络的作用是要在液晶层中建立随机分布的分子锚定机制,使手性液晶的螺距随位置而变化,从而展宽其布拉格反射谱。基片表面的凹凸结构用于诱导液晶螺旋轴的斜向随机分布,以利用倾斜螺旋结构布拉格反射的蓝移现象,进一步展宽布拉格反射谱。实验证明,在液晶中引入聚合物网络和表面的凹凸结构以后,手性液晶的布拉格反射区间由原来的80nm增加到120nm以上,对比度达到4∶1左右。     

基于嵌入式Linux汽车智能仪表系统的设计

为了优化汽车仪表系统性能,提高系统智能化、人车交互界面友好度,以ARM微处理器S5PV210为控制核心设计了一款汽车智能仪表系统。该系统以嵌入式实时操作系统Linux为软件平台,结合CAN现场总线技术,并采用开放源代码的图形界面库QT开发仪表终端应用程序。经实验验证,系统性能得到了改善。     

程控增益在红外触摸屏中的应用

研究了程控增益在红外触摸屏中的应用.整个系统采用STM32微处理器作为主控制单元,信号处理部分增加了数字电位器,并使其与运算放大器构成增益可变放大器.通过实验,程控增益的方法能大大提高红外触摸屏的成品率和寿命,同时对抗环境光干扰也有一定的改善作用.     

低阈值的聚合物分散液晶膜厚对其电光性能的影响

采用聚合物诱导相分离方法制备PDLC膜,主要研究了膜厚对PDLC膜电光特性的影响。结果表明,膜厚对PDLC中液晶微滴的尺寸与形状有很大影响,在一定范围内随着膜厚的增加,液晶微滴变得细小均匀,进而使液晶的阈值电压及饱和电压增加,但同时使液晶的下降时间缩短,有助于提高响应速度。     

H2稀释比对RF-PECVD制备a-Si:H/nc-Si:H薄膜的光电特性的影响

研究了H2稀释比对a-Si：H/nc-Si：H薄膜光电特性及微结构的影响。采用RF-PECVD法,以高纯SiH4及H2/SiH4混合气体为反应气源交替反应制备样品,并通过紫外-可见光分光光度计、椭偏仪及Keithley 4200、XRD对样品进行分析测试。实验表明：在纳米级厚度的a-Si：H薄膜基础上,随着第二反应气H2/SiH4混合气中H2比率(99%、97%、95%、92%、80%)的升高,沉积速率持续下降,薄膜消光系数、禁带宽度以及电导率呈现先增大后减小的趋势。针对实验现象,结合薄膜生长机理对实验结果原因进行了分析。