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本文阐述了一种新型的正温度系数(PTC)电阻器,它的特性可以用(VCr)_2O_3中的固态金属—绝缘体相变来加以阐明。例如在80℃的转变温度下,陶瓷体的电阻率急剧增加到20℃时电阻率(典型值为1.5×10~(-3)Ω·cm)的100倍。由于这种低电阻率,至少可制成阻值为0.1mΩ与0.1Ω之间的热敏电阻,它实际上可以载带的额定电流值分别高于200A或低于2A。本文说明了这种新型器件的结构以及典型的特性和应用。 相似文献
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高施主掺杂 BaTiO_3 陶瓷中施、受主杂质相互作用的一种异常现象 总被引:3,自引:2,他引:1
在高施主掺杂 BaTiO_3陶瓷中,若引入适量的受主杂质,其室温电阻率测量结果显示出一种异常现象。本文用缺陷化学的理论,在施主、受主掺杂 BaTiO_3室温电阻率和平衡电导率测置的实验基础上,对受主杂质的异常作用提出了解释。在高施主掺杂 BaTiO_3陶瓷中,由单电离施主(F~(?))与单电离或双电离钡缺位(V′_(Ba)、V″_(Ba))之间的缔合形成了大量的复合缺陷。复合缺陷的浓度随受主杂质的引入而下降,这是引起上述异常现象的根源。在单一点缺陷模型中引入复合缺陷后,可使施、受主杂质对电导率异常影响的解释统一于一个理论模型中,从而使有关 PTC 效应的理论比过去获得更广泛的实验现象的验证。 相似文献
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(一)引言 七十年代以来,半导体气敏元件获得了引人注目的新进展。有些产品已从研制阶段跨入了大量生产的阶段。例如日本()技研公司生产的SnO_2烧结型TGS气敏元件,年产量已超过100万只,累计产量已超过1000万只,寿命已超过10年,其它气敏元件、湿敏元件的新品种也在不断出现。引起这种蓬勃发展现象 相似文献
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施主掺杂BaTiO_3陶瓷半导化特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文采用四电极技术测量了空气中未掺杂和La掺杂(La含量:0.1—1.0at%)BaTiO_3陶瓷在900—1400℃溫区的平衡电导率,据此分析了这些材料的缺陷结构。结果表明,高掺杂材料内部存在着的与施主杂质相联系的大量二元和三元紧密复合缺陷强烈地影响着材料的电性能。用复合缺陷模型解释了电导率、晶粒尺寸随施主含量变化等重要实验现象。高温和室温电导率随施主含量的异常变化完全是由于因形成复合缺陷导致有效施主浓度的下降而引起的。随着施主浓度的增加,优先在晶粒表面形成的复合缺陷浓度变得如此之大,以致参与体扩散机制的大量钡缺位被束缚,因此晶粒表面能下降,晶粒生长受到抑制,这就是晶粒尺寸与施主含量关系的内在根由。本文还对Heywang模型中的表面态本质提出了新的见解。指出了获得耐压达250V/mm优质PTC热敏电阻器的关键所在。 相似文献
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