天然染料染色中媒染剂应用的现状与展望

概述了近年来天然染料染色过程中媒染剂的研究现状。首先对非铬金属媒染剂、天然媒染剂以及复配媒染剂的研究进行了介绍,其次对这三种媒染剂媒染原理进行了阐述,最后对媒染剂研究趋势进行了展望。     

电信运营商对大数据的应用

在现代社会,计算机、平板电脑、手机等终端设备几乎成了人们生活中不可或缺的一部分。无处不在的移动设备、RFID、无线传感器等每分每秒都在产生数据,数以亿计的互联网服务时时刻刻都在产生巨量的交互。据IBM最新研究报告显示,全球每天都要产生超过2.5 quintillion字节的数据。这些数据犹如一座金矿,各行业都想如何能够能好地利用它为自己创造最大的经济收益,电信行业也不例外。本文主要从电信运营商在大数据时代具有的先天优势出发,讨论国内外电信运营商对大数据方面的应用。     

某进口固体废物“铁精粉”的鉴别方法探析

为了确保不进口污染环境的固体废物，针对某冒充铁精粉的进口固体废物，通过外观、成分、物相分析进行了系统的鉴别。确定样品主要为经研磨加工的氧化铁皮，属于禁止进口的固体废物——轧钢产生的氧化皮。     

基于3D打印技术复制砂浆节理的剪切试验及峰值抗剪强度模型

为进一步研究节理三维形貌特征与节理峰值抗剪强度的关系,首先采用巴西劈裂试验获取了自然劈裂岩石表面,通过三维扫描技术获取了节理面形态的高精度点云,通过逆向建模得到了自然岩石表面的立体模型,结合3D打印技术制作出了与自然岩石表面一致的PLA模具,以3D打印获得的底模通过水泥砂浆浇筑了含有自然结构面形貌的相似节理面试样。PLA模具与复制材料差异较大,复制材料在凝结过程中不易与PLA模具黏结,进而使脱模过程较为方便,不会破坏节理面。同时PLA模具可重复进行相似材料复制工作,具有可重复使用的优点。然后进行了具有5组形貌面的20个水泥砂浆节理面在4种不同法向荷载情况下的结构面剪切试验,得到了结构面剪切位移-荷载曲线。研究了结构面峰值抗剪强度、峰值位移、剪切刚度影响因素。节理经过剪切后形貌面出现不同程度的磨损,其磨损范围与等效高差分布范围基本一致,并且在等效高差为剪断破坏模式且成片的区域磨损较为严重。在新粗糙度指标基础上提出了新的峰值抗剪强度模型,经试验对比显示出新模型的有效性。在新模型基础上提出了一个简化模型。对比发现新模型简化后其计算精度较新模型有所降低但由于所需参数减小计算较为方便,新模型简化结果精度虽然有所下降但是还是比Barton公式精度高。     

影音多面手——多彩DLA-631CMP3播放器

初见多彩DLA-631C,就被它的两个特点吸引了:一是刚柔相济的外形,传统方正的机身加上圆滑的边缘,无论从哪个角度看都很不错;二是1.8英寸的26万色TFT液晶显示屏,几乎占据了面板的3/4面积,在关机状态下,暗色的显示屏与银色的外壳互相辉映,显得高贵华丽。前面板采用了透明塑料,透过     

两种比色法测定甲壳素类化合物含量的研究和比较

建立了间苯二酚显色测定甲壳素类化合物含量的分光光度法.方法的测定波长为500nm,线性曲线回归方程为Abs=5.435Conc-0.026(R=0.9999),线性范围20～80mg/L-1,与通常的DMAB方法比较,该方法实验周期短,灵敏度高.     

从消防审查角度谈水消防设计的几个问题

从建筑工程消防审查角度出发,探讨了室外水消防设计和有关说明的必要性,充实水柱的保护范围及消火栓的布置间距设计的误区,自动喷水灭火系统末端试水装置和试水阀处的排水设置,自动喷水灭火系统的设计基本参数应在设计说明中注明,自动喷水灭火系统气压供水设备的设计,高层建筑内无可燃物的设备层是否应设自动喷水等常见问题。针对问题,从消防审查角度提出解决措施。     

高温氨化合成GaN微晶

分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。     

“吉祥”追溯

吉祥寓意是中国传统工艺装饰文化的一个中心主体。无论是物质领域还是精神范畴中我们都可以在人类早期生存功用目的中找其源头。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.