Pt/Pd对WO_3燃气敏感元件的影响

在WO3粉体材料中加入Pt,PtO2,Pd,PdCl2,以恒温600℃烧结1h制成旁热式厚膜可燃性气敏元件。采用静态电压测量法,研究了元件的加热电压与元件灵敏度的关系。实验结果表明:WO3元件掺入质量分数为0.5%的Pt/Pd,在加热功率为600 mW时,能提高元件的灵敏度2~10倍。     

用激光束成像法测量双E型硅弹性膜应变

用激光束成像法对双E型传感器的硅弹性膜应变进行的研究,测出了该弹性膜的应变情况,此方法对其它结构形式的敏感芯片应变的研究也有一定的参考价值。     

电化学燃气敏感元件及其敏感特性的研究

在三氧化钨粉体材料中加入4%瓷粉和不同质量分数的金属氧化物,以恒温600℃烧结1h制成旁热式厚膜气敏元件。采用静态电压测量法,研究了元件的加热功率与元件灵敏度的关系以及响应与恢复特性。研究结果表明,WO3基元件掺入一定质量分数的杂质在加热功率为600mW时能开发成不同的气体敏感元件。     

掺杂离子对O_3气敏元件的性能改善

在 WO_3中掺入杂质离子,制成傍热式厚膜元件,结合开温脱附(TPD)和半导体分析,研究了掺杂离子对元件性能的影响。     

《改进的方向线偏移法测基坑水平位移》的研究

笔者研究文献《改进的方向线偏移法测基坑水平位移》后,发现除了公式（1）,所有公式都是错误的（尽管公式（6）形式正确,但由于m△p计算错误,因而公式（6）实质仍是错误的）,算例也完全错误。为此,有必要推导出正确的公式,并且补充条件后对算例作出正确的解答,从而为方向线偏移法测基坑水平位移提供正确的理论指导。     

新颖型非整体膜结构硅加速度计的研制

简要介绍了利用硅的各向异性腐蚀工艺研制的非整体膜结构的敏感硅芯片，较详细地报告了用此硅芯片封装成的加速度敏感元件，最后介绍这种加速度计的优良性能。     

WO3的气敏特性研究

通过实验,结合气敏元件分析方法,对WO3气敏元件的气敏特性、响应与恢复时间、电阻特性、初期驰豫特性进行了系统分析。为进一步开发研制WO3气敏元件提供了可靠的数据。     

Crystal structure of Mg3Pd from first-principles calculations

Crystal structure of Mg3Pd alloy was studied by first-principles calculations based on the density functional theory. The total energy, formation heat and cohesive energy of the two types of Mg3Pd were calculated to assess the stability and the preferentiality. The results show that Mg3Pd alloy with Cu3P structure is more stable than Na3As structure, and Mg3Pd alloy is preferential to Cu3P structure. The obtained densities of states and charge density distribution for the two types of crystal structure were analyzed and discussed in combination with experimental findings for further discussion of the Mg3Pd structure.     

WO3基臭氧敏感元件的研制

在三氧化钨粉体材料中加入金属氧化物,以恒温600℃烧结1小时制成傍热式厚膜O3气体敏感元件.采用静态电压测量法,研究了加入一定质量分数的Nb2O5、Fe2O3、Co3O4、TiO2、Sb2O3后元件的加热电压与电导率、元件灵敏度、60 s后回复几率的关系,讨论了掺杂成分和杂质的质量分数对材料的气敏性能和环境适应能力的影响.实验结果显示:2%TiO2- 3% Nb2O5-WO3元件能开发成理想的O3敏感元件.     

Ni3Al中Re诱导缺陷对螺位错交滑移的影响

Ni3Al的高温异常流变行为与超级部分位错的交滑移密切相关,本文利用第一性原理计算探究Re在Ni3Al晶体中的占位倾向及Re效应对Ni3Al中位错形核与运动的影响。由Re占据Ni3Al不同晶格点位所对应的点缺陷形成焓及能量因子,可知单个Re原子在Ni3Al中优先占据Al位,两个Re原子优先占据Al-Al位。通过对Ni3Al晶体和滑移系广义堆垛层错能的计算,发现Re原子占据Al位能促进超级部分位错的交滑移。两个Re原子垂直滑移方向排列比沿着滑移方向排列能有效阻碍位错形核与运动;两个Re原子排布在相邻原子面上比排列在同一个原子面上时会进一步促进螺位错的交滑移。分析缺陷和间的关联能对Ni3Al晶体超级部分位错交滑移的影响,结果表明缺陷和间较弱的交互作用有利于改善高温时Ni3Al的异常流变行为。Re原子优先占据Al位置提高Ni3Al的屈服强度能够归功于间的弱交互作用。