如何巧妙定制滚动条的颜色

在应用程序的用户界面设计过程中，应使设计出来的界面更美观，更吸引人。而MFC提供的框架窗口和各种控件的颜色只有灰色，颜色比较单一，当然，可以在程序中添加代码来改变这些窗口的原有颜色，使设计出来的用户界面更美观。下面将以滚动条为例，介绍如何为没有滚动条的框架窗口添加滚动条，并设置滚动条的颜色。     

宽禁带功率半导体器件技术

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望。     

中小型水电工程导流隧洞堵头封堵措施探讨

通过介绍牛都水电站导流洞堵头施工的研究,探讨堵头施工的有效策略,对同类型的工程有借鉴意义。     

具有多等位环的高压屏蔽新结构MER-LDMOS耐压分析

提出一种多等位环(multiple equipotential rings,MER)的高压屏蔽新结构MER-LDMOS,并解释了该结构的屏蔽机理,通过2D器件模拟验证了屏蔽机理的正确性.讨论了p-top剂量、等位环长度、等位环间距以及氧化层厚度对MER-LDMOS击穿电压的影响.结果表明MER-LDMOS突破常规LDMOS高压屏蔽的能力,击穿电压较常规LDMOS提高一倍以上;同时,该结构具有工艺简单、工艺容差大、反向泄漏电流小等优点,为高压集成电路中高压屏蔽的问题提供了一种新的解决方案.     

具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件新结构

针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS(SJ-LDMOS)击穿电压的不足,提出了一种新的具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件结构.通过该部分n埋层,不仅补偿了由于衬底辅助效应所致的电荷不平衡现象,实现了高的击穿电压,而且该埋层在器件正向导通时为电流提供了辅助通道,减小了器件导通电阻.分析了器件结构参数和参杂对器件击穿电压和导通电阻的影响,结果表明文中所提出的新结构具有高的击穿电压、低的导通电阻以及较好的工艺容差等特性.此外,该结构与智能功率集成技术兼容.     

基于单片机的机电调平试验系统研究

自动调平系统在工程车辆上应用非常广泛,快速、精确、高可靠性的自动调平系统对提高车辆的机动能力起着决定性作用。在对液压和机电调平方式各自的优缺点进行分析的基础上,提出了一种基于单片机的机电式自动调平系统实现方案,对比了不同调平支撑方式的特点及其对精度的影响,并对系统硬件的构成及调平方法进行研究,建立起了基于单片机的四腿调平机电式调平试验系统,为研究实际系统奠定了硬件基础。     

应用于3.3kV IGBT的线性渐变掺杂结终端扩展的设计与优化

本文将线性渐变掺杂结终端扩展（LG-JTE）技术用于3.3kV IGBT并进行了试验验证。和采用多次光刻和离子注入传统结终端扩展技术不同,LG-JTE只用一张注入窗口宽度随与主结的距离线性变化的掩膜版。结合仿真设计了采用LG-JTE的IGBT,并在国内工艺平台上成功流片,其测试耐压达到3.7kV,接近理想的平行平面情形的耐压。     

一种高di/dt栅控晶闸管的三重扩散工艺优化

传统栅控晶闸管(MCT)的制造工艺中存在阱区浓度调整与器件性能最大化之间的矛盾,提出了一种具有高电流上升率的制造工艺的优化,实现了具有更高正向电流能力与低阈值电压的MCT器件。结果表明该工艺制造的MCT在脉冲放电应用中电流上升率(di/dt)较传统工艺所制造的器件提高15%,最大工作温度降低33%,热逸散速度提高36%。     

MCT与Clustered IGBT在大功率应用中的比较研究

针对两种应用于大功率领域的半导体器件——栅控晶闸管(MCT)和组合式绝缘栅晶体管(CIGBT),采用数值仿真软件进行了比较研究。静态仿真结果表明MCT具有更低的正向压降,只有CIGBT的50%左右,而CIGBT得益于其电流饱和特性,具有更大的短路安全工作区。开关仿真结果表明CIGBT具有比MCT更短的关断时间和更小的关断能量,更适合应用于高频领域。同时研究了MCT和CIGBT在脉冲放电应用中的特性,结果表明MCT具有更大的脉冲峰值电流和更快的电流上升率,并首次论证了脉冲放电过程中器件物理机制的区别。