基于先验图像-压缩感知的CT局部重建算法

为了提高CT图像局部重建的质量,在压缩感知理论的基础上提出基于先验图像-压缩感知的CT局部重建算法.首先对获得的局部感兴趣区域内的投影数据进行滤波反投影重建,并将重建的CT图像作为迭代的初始图像;然后以图像的总变差最小化为原则对局部感兴趣区域进行凸集投影总变差最小化重建.以Shepp-Logan模型和某型固体火箭发动机为例进行实验的结果表明,该算法能够获得更好的CT图像局部重建质量,且具有更强的抑噪性能.     

主题学习网站建设与应用研究的反思

目前，主题学习网站建设大概可以分这样几种情况，第一种是以个人为主；第二种以学校为主；第三种以区域为主；第四种以国家为主。主题学习网站的建设、应用与研究在这几年当中走过来取得了很大的成效，也产生了很大的影响。现在回过头来看一看哪些是需要总结的，哪些是在专题网站建设与应用研究中要注意的，这就是所谓的“反思”。对此，我认为，一个是从课题整体设计上来反思，另一个就是对专题网站建设和应用方面的反思。     

测边大地四边形面积法平差及其应用

本文对测边大地四边形采用了面积法平差，导出了平差公式。由于适当引入了辅助量．使平差公式简单，应用方便。只要按图编号，便可直接用公式计算。最后用实例说明了平差计算步骤。     

压气机钛合金叶片外物损伤规律数值仿真研究

为研究不同因素对压气机叶片外物损伤的影响规律,使用LS-DYNA软件对某型高压压气机叶片外物冲击损伤过程进行数值仿真,开展部分工况下外物损伤试验并进行对比,以验证仿真模型的准确性。结果表明:数值仿真计算得到的损伤尺寸以及形貌与试验数据吻合良好。外物材料类型对冲击损伤影响十分明显,材料密度及硬度越大,损伤宽度与深度越大;高脆性材料造成的损伤尺寸较小。损伤尺寸与冲击能量之间呈现出正相关关系,主要表现在外物尺寸与冲击速度上。冲击角度对损伤尺寸影响较小。     

SOS膜横断面的电子显微镜研究

本文叙述用高温氢退火处理提高SoS膜的结晶质量的实验结.SOS膜的光吸收因子F_A值在氢退火温度920～1020℃,4.5小时下可下降20～30%,达到126×10~6cm~(-2).SOS膜横断面电镜观察证明,SOS膜结晶质量的改善是与界面附近微孪晶、层错等缺陷的减少有关.     

SOZ膜结晶质量的研究

研究了预处理工艺对SOZ膜结晶质量的影响。用SEM、AES,SIMS及TEM技术分析其原因。结果表明,预处理工艺以1200～1250℃、60～120分为好。     

克服铝自掺杂工艺的新进展

克服铝自掺杂的高温处理新工艺与背封工艺一样,能起到抑制铝自掺杂的作用。该工艺已在实践中取得应用。     

SOS材料及其在传感技术中的应用

本文叙述了SOS材料制备工艺及其主要性能的检测,并用它研制成CLGY—1型硅—兰宝石固态压力传感器。     

硅烷掺杂的薄层外延不锈钢外延设备

一、前言由于集成电路和微波半导体器件的发展,要求硅外延片的外延层薄,界面杂质浓度分布陡。通常采用的四氯化硅氢还原法是不能满足这个要求的。硅烷热分解反应法却能满足,因为其反应温度较低(950～1050℃),反应是不可逆的,没有副产物,可减轻自掺杂,能获得很陡的杂质分布,可得到电阻率均匀的1微米左右的薄外延膜。对于异质外延,在尖晶石上外延硅的实验证明:四氯化硅有腐蚀作用,只能用硅烷热分解法。在蓝宝石上硅烷热分解法生成的硅膜,其孪晶缺陷低于四氯化硅沉积生长的硅膜。生成     

新型传感器讲座 第二讲 新颖半导体力敏传感器

力敏器件,主要是指用来测量力、压力、速度、加速度、位移、振动等物理量的敏感器件.因这些测量都与机械应力相关,所以通称为力敏器件,并把封装成为一个整体的称为力敏传感器. 人们对力敏器件的研究已有悠久的历史,经过几十年的发展,已奠定了雄厚的技术和工业基础.但随着近几年现代信息科学的迅猛发展,特别是大规模和超大规模集成电路的发展以及微处理机的问世,原有