移动自组网安全技术研究

移动Ad Hoc网络由于其动态拓扑和无线通信等特点,容易受到安全威胁.将现有的移动Ad Hoc网络的网络安全技术分为入侵检测与防范、安全路由协议技术、架构模型技术、密钥技术和其他技术.其中,入侵检测与防范主要基于移动Ad Hoc网络的特点,在一定教学模型的基础上对于网络节点的行为进行分析和监测,以保证整个移动网络的网络安全.安全路由协议技术包括全新的安全路由协议技术和现有路由协议的安全化改进技术.密钥技术主要是基于移动Ad Hoc网络的特点对现有密钥技术进行改造.对上述移动Ad Hoc网络的网络安全技术分别进行了介绍和分析.     

走生态之路 谱治水篇章 丰宁全力建设京津冀水源涵养功能区

正丰宁满族自治县位于河北省北部,地处燕山北麓和内蒙古高原南缘,南邻北京,北靠内蒙,是河北省6个坝上县、32个环京津县之一。全县总面积8765km2,为河北省面积第二大县。辖10镇16乡、309个行政村,总人口41万人。全县有耕地139万亩,林地面积713万亩,占全省林地面积的十分之一,森林覆盖率57.5%。丰宁海拔     

关于冶金机械的绿色设计与制造探讨

随着时代的发展与进步,我国进入工业4.0时代,以过度消耗资源环境的方式获得经济利益的工业发展模式已不合时宜,现代人越来越重视保护环境、绿色发展。冶金机械制造行业正是一个高耗能、高污染的行业,所以,对冶金机械进行绿色设计与绿色制造符合时代要求。本文阐明了冶金机械的绿色设计的必要性,介绍了绿色设计及制造的内涵,最后对我国冶金机械的绿色设计、制造提出了建议。希望我国冶金机械能够尽快实现绿色设计及制造的目标并推进产业化进程,为我国工业绿色发展带来新动能,实现工业的可持续、清洁、绿色发展。     

双异质外延Si/Al2O3/Si薄膜制作的CMOS器件

报道了利用高真空MOCVD外延生长γ氧化铝的技术和利用SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延Si/γ-Al2O3/Si单晶薄膜以及用其研制Si/γ-Al2O3/Si CMOS场效应晶体管、Si/γ-Al2O3/Si CMOS集成电路的初步结果.     

基于FFT的多普勒频偏估计算法研究

首先介绍了一种基于FFT的多普勒频偏估计算法,该算法可以在低信噪比下检测出载波多普勒频偏的绝对值大小和正负方向,然后定量分析了时域信号经过FFT变换到频域后信噪比有大幅的提升,且FFT分析的点数和栅栏效应都会影响信噪比的增益和检测概率。理论分析和仿真结果表明,该算法可以有效地降低时域的信噪比阈值,当信噪比大于某一阈值时,其估计精度与输入信号信噪比无关。     

基于Lorenz三维混沌序列的彩色图像加密算法

讨论了一种基于Lorenz混沌动力系统的三维彩色图像加密的算法。该算法首先对Lorenz系统输出的实值混沌序列进行预处理,然后根据序列随机修改图像中每一个像素点的RGB值,并对修改后的图像进行像素置乱。仿真与讨论结果表明,该算法密钥空间大,混沌信号的产生极其敏感地依赖于密钥,具有较好的加密效果和加密效率,并对统计分析具有较好的安全性。     

对半干成型法制备的高铝质隔热耐火材料性能的研究

高铝质隔热耐火材料是由氧化铝、铝矾土和黏土的混合物通过半干成型法在1 500℃下煅烧2h而制成的。一般情况下,稻壳在作为能源使用后,都被当做废料进行处理。现将这种稻壳作为制备隔热耐火材料过程中的造孔添加物来利用。学者们对这种煅烧后的耐火材料试样的物理特性、相结构以及微观组成的研究从未间断过,并常常将半干成型法的优缺点同塑性成型法相对比。高铝质隔热材料中,氧化铝与二氧化硅的质量比在2.91～6.17之间。通过将原料中一半量的铝矾土替换为氧化铝,不仅可以提高这一比值,还能降低杂质含量并改善材料性能。煅烧温度在1 500℃时,氧化铝、黏土和铝矾土之间的反应已经基本完成,煅烧出莫来石和刚玉作为结晶产物。最终烧结产物的物理特性、微观结构和孔径分布会随着氧化铝与二氧化硅之间质量比、杂质含量、稻壳造孔剂的掺量以及所使用的成型工艺的不同而各异。     

25Cr2Ni4MoV材料的真空直注工艺研究

25Cr2Ni4MoV真空直注工艺相较于中间包浇注工艺能避免钢液在浇注过程中接触大气,防止二次氧化,减少夹杂物的产生。本文在中间包浇注工艺基础上对真空直注工艺进行研究,通过温度、水口直径和吹氩压力的对比分析,确定了采用真空直注工艺时,控制浇注温度、浇注速度和钢液散流等关键参数与采用中间包浇注工艺时的差异。     

连通器原理在施工测量中的应用

在底部相连的两个容器里装入液体（水或油)，其液面由于大气压相等而处于同一水平面上，这就是著名的“连通器原理“。这一原理现已被应用在建筑施工测量上(图1)，现举几个例子说明。     

双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件

报道了利用高真空 MOCVD外延生长 γ氧化铝的技术和利用 SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延 Si/ γ-Al2 O3/ Si单晶薄膜以及用其研制 Si/ γ- Al2 O3/ Si CMOS场效应晶体管、Si/ γ- Al2 O3/ Si CMOS集成电路的初步结果