一种新颖的宽带IPv6接入路由器的研究

论文提出了一种基于“业务流”的宽带IPv6接入路由器的设计。为了克服传统接入技术用户管理难、认证计费不准确、综合业务提供能力差的缺点,提出了以业务流为管理对象的接入路由器的设计,实现用户认证和授权、双向流量统计、双向速率限制、预付费流量限制、访问控制列表和断线检测等功能,集接入汇聚、边缘路由和业务策略功能于一体,并提供QoS保证。     

基于QoS机制的宽带接入路由器

高速化和多媒体化成为未来网络发展的主要方向，适时灵活的网络增值应用需要在网络的接入端就要提供QoS保证，该文详细分析了接入路由器的QoS策略服务机制和QOS保障机制，提出了新一代基于QoS机制的宽带接入路由器的系统设计。     

IPv6/IPv4双协议栈以太网接入认证和移动技术

介绍了IPv6/IPv4双协议栈以太网接入路由器及其接入方案具有用户认证、用户管理和详细的数据统计功能,能够同时提供IPv6和IPv4接入,与移动家乡代理服务器配合,可支持移动IP用户,能够满足未来商业化的、有线无线一体化的以太网接入的需求。     

溶胶-凝胶法制备纳米Si3N4(Y2O3)粉末的研究

本文以硅溶胶、尿素和炭黑为原料，采用溶胶－凝胶碳热氮化法在１５００℃、２ｈ条件下制得粒径为５０－８０ｎｍ的Ｓｉ３Ｎ４纳米粉末。比较了由硅溶胶与尿素经氨解合成的前驱体和硅溶胶二种不同起始物料的反应活性，研究了氮化条件对合成反应的影响。结果表明：氨解前驱体使硅溶胶中的结构水排除，有助于加快反应速率，提高产物氮含量。本文同时以Ｙ（ＮＯ３）３为添加剂，在溶液状态与硅源混合，合成了Ｓｉ３Ｎ４－Ｙ２Ｏ３纳米复     

溶胶-凝胶法制备纳米Si_3N_4(Y_2O_3)粉末的研究

本文以硅溶胶、尿素和炭黑为原料，采用溶胶-凝胶碳热氮化法在1500℃、2h条件下制得粒径为50～80nm的Si3N4纳米粉末．比较了由硅溶胶与尿素经氨解合成的前驱体和硅溶胶二种不同起始物料的反应活性，研究了氮化条件对合成反应的影响．结果表明：氨解前驱体使硅溶胶中的结构水排除，有助于加快反应速率，提高产物氮含量．本文同时以Y（NO3）3为添加剂，在溶液状态与硅源混合，合成了Si3N4－Y2O3纳米复合粉末.     

构建新一代宽带IP城域网技术综述

针对城域网在数据传输方面的新瓶颈效应，多业务、迅速灵活、高效率成为城域网解决方案的主要特色。本文具体比较了现有的新一代城域网解决方案（Metro－DWDM、MSPP），比较可以看出，MSPP产品具有最大的优势，其良好的性能价格比使之成为从SDH体系向基于IP网络架构过渡的理想产品。     

原位聚合法制备SiC@SiO2/BN/PI复合材料及其表征

聚酰亚胺复合材料以其优异的性能以及在航空航天、轨道交通、微电子等领域广泛的应用前景引起越来越多的关注。在750 ℃条件下对SiC晶须进行表面氧化处理, 形成SiC@SiO₂包覆结构晶须, 与BN颗粒构成复合填料, 分别采用硅烷偶联剂和钛酸酯偶联剂进行表面改性, 用原位聚合法制备了SiC@SiO₂/BN/PI(PI:聚酰亚胺)复合材料。采用傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)等进行结构和性能表征。结果表明: 晶须与颗粒质量比为4 : 1时, 复合填料在PI基体内形成了有效的导热网络, 且当填料含量为45wt%时, SiC@SiO₂/BN/PI复合材料导热系数达到0.95 W/(m·K)。SiC@SiO₂/BN/PI复合材料的力学性能随着复合填料的种类和数量的变化呈现规律性变化。SiO₂氧化层阻断复合填料间自由电子的移动, SiC@SiO₂/BN/PI复合材料的电气绝缘性能下降幅度减小。     

基于网络处理器的IPv6路由器设计

分析了当前路由器的体系结构没计。深入研究了网络处理器的技术特点，给出了基于网络处理器的IPv6路由器的设计方案，阐述了此方案在路由查找、报文交换、阻塞管理等方面的问题和解决方法。并讨论了IPv6路由器软件的模块设计。     

构建新一代宽带IP城域网技术综述

针对城域网在数据传输方面的新瓶颈效应，多业务、迅速灵活、高效率成为城域网解决方案的主要特色。本具体比较了现有的新一代城域网解决方案（Metro-DWDM、MSPP），比较可以看出，MSPP产品具有最大的优势，其良好的性能价格比使之成为从SOH体系向基于IP网络架构过渡的理想产品。     

IPv6过渡机制分析与6 to 4 Tunnel的实现

讨论了IPv4到IPv6的各种过渡机制，重点分析了6 to 4tunnel的关键技术，包括6 to 4tunnel前缀、地址选择、封装、分片、ICMP消息处理等，阐述了在IPv6路由器中实现6 to 4tunnel的方法，最后讨论了在过渡中有待进一步解决的问题。