一款基于BiCMOS工艺的高性能带隙基准电路

电源电压的变化是影响带隙基准电路稳定性的主要因素之一.本文针对该问题,在采用深度负反馈环路的基础上,增加了一种提高电源电压抑制比的电路结构来降低电源变化对基准的影响.该电路采用BiCMOS工艺设计,同时具有良好的温度性能.文中给出了详细的分析和电路实现.该电路通过Hspice验证,温度系数仅为5.7ppm/℃.     

一种具有高稳定性的带隙基准电路

针对基极-发射极电压与温度呈非线性关系的问题,设计了一种高阶温度补偿方法:通过在PTAT产生电路的基极引入一个小电阻,在基准电压中迭加一个温度的指数函数,以达到消除高次项的目的。针对电源电压变化的问题,在保留传统带隙基准反馈回路的基础上,提出了一种钳位互补补偿方法,通过稳定偏置电流来降低电源变化对基准的间接影响。文中给出了详细的分析和电路实现。该电路通过Hspice验证,温度系数仅为1.43 ppm/℃,并具有0.105 mV/V的电源抑制特性及直流PSRR=65 dB的高电源抑制比。