基片集成波导缝隙式滤波器的设计与实现

基于基片集成波导技术和印刷电路板工艺设计、CST软件模拟,实现了一种四缝隙和五缝隙基片集成波导缝隙式滤波器。仿真结果和实验结果吻合良好。滤波器的中心频率分别为15.85GHz和34GHz,相对3dB带宽为11.9%和12.9%,插损分别为1.4dB和2.9dB,且具有良好的选择性。与传统的基片集成波导谐振腔式滤波器相比,这种滤波器可以提供更宽的阻带且便于后期调试。     

Ka波段Si基微机械宽带垂直过渡

介绍了一种适用于三维毫米波集成电路的Si基微机械垂直过渡,该垂直过渡是两层0.1mm厚的共面波导传输线通过0.3mm厚中间层,在中间层采用了同轴结构,该同轴结构通过金属化通孔来实现。这一设计原理简单,结构简洁,便于优化设计,具有很宽的带宽和平坦的幅度响应。运用三维电磁场仿真软件对该垂直过渡结构进行了建模,并作了优化设计与仿真计算,运用微机械金属化通孔工艺和多层键合工艺研制了样品。在片测试结果表明该样品性能良好,在26.5～34.0GHz该过渡插入损耗小于3.5dB,带内起伏小于2dB。     

毫米波硅基微机械屏蔽膜微带线和滤波器

介绍了一种屏蔽膜微带线,该型传输线为介质薄膜所支撑,周围为空气,并为金属面所屏蔽,具有可忽略不计的衬底损耗及色散效应,以及很小的辐射损耗。运用HFSS三维电磁场仿真软件对毫米波屏蔽膜微带线与滤波器进行了仿真设计,运用MEMS工艺在两层高阻硅衬底上进行了样品的研制。样品取得了良好的测试结果,其中屏蔽膜微带线插入损耗小于0.1dB/mm。     

X波段低相噪细步进频率合成器的研制

采用多种频率合成技术,包括DDS技术、PLL技术等,设计了一种带宽200 MHz、全频带相位噪声小于-115dBc/Hz@5kHz、步进频率小于0.1Hz的X波段频率合成器。混频锁相模块中的偏移频率跟随输出频率跳变,从而实现全频带内相位噪声指标基本一致。设计了动态防失锁电路,以解决偏移频率跳变引起的失锁和错误锁定问题。研制结果验证了方案设计和电路设计的可实现性。此频率合成器特点是在X波段兼顾细步进、低相位噪声和高杂散抑制等各项指标。     

一种7GHz～20GHz宽带频率综合器的设计

文章介绍了一种PLL频率合成技术获得的7GHz～20GHz的宽频带、小步进、小体积、低杂散、低相噪的频率综合器的实现方法.该方法采用Hititte公司生产的宽带VCO HMC587LC4B和鉴相器HMC702LP6C,运用锁相倍频模式,在55mm×70mm×16mm的体积内实现了7GHz～20GHz的频率输出,并且达到...