一种新型筒形矿仓物位测量方案的设计

针对常用的矿仓物位测量方式受粉尘和堆矿死角因素的影响而存在矿仓物位测量不准确的问题,提出了一种新型的矿仓物位测量方案。该方案选择重锤物位计消除粉尘干扰、采用多点布局求取均值的方法消除堆矿死角干扰。实际应用表明,该方案解决了粉尘和堆矿死角对物位测量的影响,降低了矿仓岗位人员的劳动强度。     

改进OR1200 CPU流水线的设计

流水线是制造高性能CPU的关键技术,目前被广泛研究的OR1200是一款带有四级流水线的免费开源CPU. 为了提高流水线的效率,针对OR1200没有设计访存流水段,流水线会暂停等待加载存储类指令这个问题,在LSU操作即访存操作模块,为OR1200增加了访存流水段,设计了冒险检测和旁路单元,因此CPU在访存阶段不需要暂停,从而使OR1200变为真正的五级流水线CPU;另一方面,当需要用加载指令加载数据的时候,会导致加载类数据冒险问题,为了解决此类冒险,设计了数据有效信号Tag,用来控制流水线暂停,对乘法计算、访存阶段以及其他不能在执行阶段得到结果的运算作流水线暂停判断,以等待数据的获取. 通过实验仿真证明,Tag信号暂停流水线一个时钟后会把数据反馈回去,成功解决了必须暂停数据相关问题的暂停判断问题.     

大型磨机配用高压油泵不同控制方式的比较

介绍分析了2种为磨机滑动轴承供油的高压油泵的起动方式,比较了常用的1用1热备和金徽矿业选用的2用1冷备的配电原理和PLC控制程序,得出可靠性更高的结论。     

一级管网系统技术经济论证

本文提及的一级管网系统是指除低压一级城市煤气管网以外的高压,次高压和中压一级管网系统。 对于城市煤气管网而言,从技术上看,一级和二(或三)级管网系统供气均属可行,唯对一级管网系统在供气安全上尚持有些疑虑。在经济上,一级管网要比二(或三)级管网节省一次投资则毋庸置疑,但究竟能节省多少尚缺数量概念。本文针对此问题从经济角度做出定量分析,以供选择城市煤气管网系统时参考。     

坚决扛起农投责任和担当 以高水平创新引领高质量发展

<正>习近平总书记高度重视创新发展,多次发表重要讲话、作出重要指示,为我们建设创新龙江、推动高质量发展指明了方向。省委省政府深入学习贯彻习近平总书记关于创新发展的重要论述,对深入实施创新驱动发展战略,加快建设创新龙江做出了全面部署,提出了明确要求。农投集团要深入贯彻党的二十大精神和习近平总书记历次对我省的重要讲话重要指示精神,认真落实省第十三次党代会、省委十三届二次、三次,     

新年寄语

<正>律转鸿钧,四序递迁！在这辞旧迎新的美好时刻,我谨代表农投集团向始终关心支持集团发展的各级领导、各界友人、合作伙伴表示衷心的感谢！向一年来砥砺奋进、锐意进取的农投人及各位家属致以诚挚的问候和美好的祝福！告别2023,我们要向它深深致敬！一年来,农投集团发生的每一点变化、经受的每一次考验、取得的每一份成绩,都浸润着所有农投人的智慧和汗水,凝聚着每个农投人的付出和努力。每一项进步都很了不起,值得喝彩！每个人都很了不起,值得点赞!     

总剂量效应对CMOS图像传感器中光电二极管钳位电压的影响

钳位电压(Vpin)是影响CMOS图像传感器(CIS)中钳位光电二极管(PPD)电荷转移效率和满阱电荷容量的关键物理量.在辐照条件下,Vpin受辐射总剂量(TID)增加而升高,因此研究其机理对抗辐照CIS的设计有重要意义.文章利用TCAD仿真软件分析了 CIS器件的电学特性,研究了 Vpin受TID影响的机理.结果表明,当辐照引起的氧化物陷阱电荷浓度达到3×1016 cm-3时,浅沟槽隔离(STI)附近的耗尽区将PPD中的pin层与地极电学隔离,从而导致pin层电势易受到传输晶体管TG沟道电势影响而增加,使得相同电子注入条件下PPD可存储的电子增多,复位所需电压增大,导致Vpin随着辐射总剂量增加而增大.     

一种应用于CMOS图像传感器的列级高精度ADC设计

针对CMOS图像传感器高精度和低功耗的需求,设计了一种14位列级模数转换器(ADC)。在传统斜坡式模数转换器(RAMP ADC)架构基础上,采用了3位逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)与11位RAMP ADC相结合的两步式结构,有效缩短了量化时间。RAMP ADC部分采用高低时钟的计数方法,可显著降低计数区间内的功耗。同时,提出了RAMP-SAR-RAMP切换的相关双采样逻辑,可进一步减少静态随机存取存储器(SRAM)数量,从而缩小版图面积。采用0.18μm标准CMOS工艺进行仿真,结果表明:在600 MHz时钟、单沿计数的工作模式下,ADC量化时间为9.32μs,在1.8 V数字电源电压下,计数区间内功耗均值为8.51μW。     

二维光子晶体的带隙分析

研究了三角形二维光子晶体的带隙随结构参数的变化规律。计算表明 ,对于空气柱等边三角形二维光子晶体 ,当介电常数比为 13:1时 ,最佳填充比为 0 .78,最大带宽是 0 .0 94 (Δωa/2πc) ;当填充比固定时 ,介电常数比大于 8才会有带隙出现 ,且介电常数比越大 ,带隙越宽 ;两个晶格矢量的夹角与最佳夹角偏离 60° ,向上最大达到 74°、向下最大达到 4 6°时带隙消失。     

等离子体对OLED阳极进行处理的研究现状

大多数OLED都用ITO做阳极,为了提高ITO的功函数、改善ITO表面的平整度和减少C的污染,通常要在生长有机材料前对ITO表面进行处理。介绍了目前用等离子体对OLED阳极进行处理的研究现状,给出了Ar、O2、H2、N2、N2O和CF4等离子体处理ITO后对平整度、功函数、接触角和OLED特性等的影响,在他人研究基础上得出结论:用等离子体对OLED阳极进行处理其器件特性不仅与处理ITO表面的气体种类有关,也与产生等离子体的条件有关。采用正交试验方法可优化等离子体处理工艺参数,获得高性能的OLED。