CCD摄象器件—转移过程

光照射到CCD摄象器件的光敏面上将产生电子——空穴对,其中的少数载流子被时钟脉冲产生的势阱取样,然后聚集起来形成信号电荷包,进而在时钟脉冲驱动下由移位寄存器转移到输出端而取出。本文讨论信号电荷在CCD中的转移过程。在三相CCD中,信号电荷包存储在其中     

全自动片式元件组装检查系统

<正> 片式元件组装到印刷线路板上去,必须进行高可靠检查。一般检查片式元件组装情况,是采用线传感器(line sensor)与狭缝(slit)光组合等方式的检查系统,检查     

半导体表面净化技术

在半导体器件制作中,须将晶片清洗后才进行工艺操作。随着构成器件各部分尺寸逐步缩小,结构日趋复杂,集成度不断增加,对净化的要求也相应提高。为此,需要不断探索新型净化剂和净化装置及其方法。同时,还必须加强污染表面的分析研究。     

CCD摄象器件 (2)—CCD的势阱

CCD出现之后,最初是用作摄象器件和延迟线。在摄象器件方面,研制出了一维线摄象器件和二维面摄象器件。当前尤其引人注目的是家用视频CCD彩色摄象机,将来很可能向8毫米摄象机领域发展。不过,对于CCD摄象机,为了得到人的视觉灵敏而舒适的图象,必须把CCD的材料,结构,特性提高     

波长1.3μm的低阈值InGaAsP脊型波导激光器的性能

我们已经研制成不用再生长过程的平面多层结构脊型波导激光器。它仍然具有无源横模限制和电流限制的作用。前不久,我们曾报导过用带隙1.3μm的p型缓冲层制成的1.55μm激光器。后来又发表了采用带隙为1.1μm的对称P型和n型限制层制成的波长1.3μm激光器。最近由于材料质量的提高和制作技术的改进,我们制成了脊型宽度只有5μm的波长1.3μm激光器,在21℃下连续工作阈值电流     

混合集成电路用厚膜多层基板

<正> 日本东芝公司最近用丝网印刷方法制成有大容量电容器的混合集成电路用厚膜多层基板。通常制作厚膜电容器,是在氧化铝生瓷基板上印刷氧化铝浆料,并与钨等电极浆     

光通信用的发光二极管

我们研制了光纤通信用的高亮度发光二极管。这种二级管是一种带光波导层的 GaAlAs-GaAs 端面辐射型结构。辐射率高达500W/球面度·厘米~2,耦合到光纤中的功率大于100μW。调制带宽为25MH_Z。由加速老化试验外推,寿命达几十万小时。也研究了带光纤封装的发光二极管。将耦合用的光纤尾端作成锥形,大大改善了耦合效率,用 NA=0.27的光纤,得到了560μW 的输入功率。