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基于分子动力学方法,采用Tersoff势函数与Lennard-Jones势函数,结合速度形式的Verlet算法,首先对单层石墨烯薄膜的分子动力学模型进行了纳米压痕力学过程的模拟.通过模拟得到单层石墨烯薄膜的荷载-位移曲线,并对其进行最小二乘法拟合,得到了单层石墨烯薄膜的弹性模量和强度,通过和已有研究结论进行对比,验证了模型的有效性.最后建立了由双层石墨烯薄膜构成的硅功能化石墨烯分子动力学模型,进行了纳米压痕力学过程的模拟.采用同样的计算方法和过程,得到了硅碳比(硅原子数与碳原子数之比)为0.65%的双层硅功能化石墨烯材料的弹性模量和强度分别为0.98 TPa和247.33 GPa. 相似文献
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基于分子动力学方法,采用Tersoff势函数与Lennard-Jones势函数,结合速度形式的Verlet算法,首先对单层石墨烯薄膜的分子动力学模型进行了纳米压痕力学过程的模拟.通过模拟得到单层石墨烯薄膜的荷载-位移曲线,并对其进行最小二乘法拟合,得到了单层石墨烯薄膜的弹性模量和强度,通过和已有研究结论进行对比,验证了模型的有效性.最后建立了由双层石墨烯薄膜构成的硅功能化石墨烯分子动力学模型,进行了纳米压痕力学过程的模拟.采用同样的计算方法和过程,得到了硅碳比(硅原子数与碳原子数之比)为0.65%的双层硅功能化石墨烯材料的弹性模量和强度分别为0.98 TPa和247.33 GPa. 相似文献
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石墨烯因其优异的电学性能,被期望成为下一代微电子器件领域中的重要材料。然而电迁移引起的孔洞或丘凸等损伤始终是威胁微电子器件可靠性的因素,因此研究石墨烯薄膜的电迁移损伤及失效变得尤为重要。我们在对石墨烯薄膜的应力迁移和热迁移问题研究的基础上开展了其电迁移损伤演化及失效的研究。本文将采用分子动力学方法,结合Tersoff势函数和速度形式的Verlet算法建立了单层石墨烯薄膜承载过程的理论模型,并对其有效性进行了验证,并模拟记录了石墨烯薄膜的电迁移损伤演化过程及失效特征。通过理论与数值模拟相结合的研究,进一步揭示了石墨烯薄膜电迁移损伤的演化规律与趋势,为微电子器件的设计和优化提供理论和技术参考。 相似文献
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