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1.
X7R弛豫复相铁电陶瓷的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以PZN-BT(低温相)、PMN-PT(高温相)为起始组元,采用混合烧结法制备了具有X7R介电特性电子瓷料,其介电温谱在55~+125℃范围内相当平坦,室温相对介电常数高达3 877,并从离子的键型分析了影响介电温度稳定性的原因,初步探讨了提高介电温度稳定性的机制。  相似文献   
2.
3.
采用半化学法制备微波介电陶瓷(Bi2-xNdx)(Zn1/3Nb2/3)2O7(0≤x≤0.6),系统地研究了陶瓷的相结构及低频介电性能。结果表明:当Nd^3+取代量较少伍≤0.25)时,样品的相结构仍然保持单斜焦绿石单相,随着Nd^3+取代量的进一步增加,样品中出现立方焦绿石相,样品结构呈现单斜相与立方相的共存。同时,样品的介电性能随Nd^3+取代量的变化为:介电常数先增大后减小,而介电损耗先减小后增大,在X=0.25处取得最佳电性能,分另1是εr=83,tanδ=0.0029(100kHz)。  相似文献   
4.
采用传统固相法成功制备了(1-x)(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.05Ti0.95)O3-xYMnO3(BCZT-YMn)无铅压电陶瓷,研究了YMnO3掺杂对BCZT陶瓷相结构及电性能的影响。结果表明,陶瓷在相变中出现了铁电性优化的现象,当x=0.060时,获得了较佳的铁电性能,外加电场强度为4kV/mm时,其剩余极化强度为18.03μC/cm2,矫顽电场强度为0.9kV/mm,室温下介电常数为3 375,最大介电常数为3 507。当x>0.060时,铁电性突变消失,介电性出现居里峰展宽的现象,同时居里温度亦随之变化。  相似文献   
5.
半化学法制备0.80Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.20PbTiO3陶瓷的反应机理   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用半化学法制备了纯钙钛矿相的0.80Pb(Mgl/3Nb2/3)O3-0.20PbTiO3(简称为0.80PMN-0.20PT)陶瓷.反应前驱体是以硝酸镁的饱和溶液代替传统氧化物混合法中的氧化镁,与PbO、Nb2O5和TiO2混合球磨得到的.该前驱体的TG-DTG-DSC和XRD分析表明,半化学法的反应机理不同于传统氧化物混合法和二次合成法的反应机理.在煅烧过程中,硝酸镁与氧化铅反应生成铅的活化中间体Pb6O5(NO3)2,由此活化的PbO或Pb3O4可与Nb2O5生成不稳定的、缺B位的焦绿石相Pb3Nb2O8,再与MgO反应生成钙钛矿相PMN-PT.  相似文献   
6.
熔盐法制备片状钛酸铋粉体的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用NaCl-KCl熔盐法制备了生长各向异性的片状Bi4Ti3O12粉体.研究了预烧温度及熔盐含量对粉体形貌及显微结构的影响.结果表明,750℃预烧所得Bi4Ti3O12粉体为单一的钙钛矿型结构,随熔盐含量的增加,Bi4Ti3O12粉粒的尺寸及生长的各向异性程度均有所增大,预烧温度的增加也促进了粉粒的生长,获得明显生长各向异性的钛酸铋粉体的最佳预烧温度为950~1000℃.  相似文献   
7.
范广  杨祖培 《化学世界》2011,52(10):577-579
以3-氨基吡嗪-2-羧酸为配体合成了一个锌的单核配合物Zn(3-apac)2(H2O)21(3-apac:3-氨基吡嗪-2-羧酸),并利用元素分析,红外光谱,单晶X-射线衍射以及热重分析对配合物1进行了表征.晶体学数据:单斜晶系,C2/c空间群,a=0.79137nm,b=1.26517nm,c=1.3631nm,α=...  相似文献   
8.
简要介绍了弛豫铁电体的有序--无序转变理论的发展过程及新进展,并对该理论进行了评述。  相似文献   
9.
弛豫铁电陶瓷电致应变温度稳定性的研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
杨祖培  周欣山 《材料工程》1998,(8):43-45,30
简要综述了提高弛豫铁电陶瓷电致应变温度稳定性方法的研究现状和存在的问题,并对进一步深入研究提出了看法。  相似文献   
10.
四元系PZT-PFW-PMN大功率压电陶瓷的电性能研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
宗喜梅  杨祖培  李慧 《功能材料》2006,37(3):383-385,388
用传统固相法制备了PbZrO3-PbTiO3-Pb(Fe2/3 W1/3)O3-Pb(Mni/3 Nb2/3)O3(简称PZT-PFWPMN)四元系压电陶瓷.研究了不同含量的Pb(Fe2/3W1/3)O3(简称PFW)对PZT-PFW-PMN陶瓷的相结构、密度、介电性能和压电性能的影响.另外,还研究了制备工艺对陶瓷电性能的影响.结果表明,随着PFW的加入以及烧结温度的提高,体系的介电和压电性能都有所改善.当加入3.0%(摩尔分数)Pb(Fe2/3W1/3)O3并在1200℃下烧结时,材料具有良好的综合电性能:d33=358pC/N,Kp=0.63,Qm=1655,tgδ=0.005,该组份是大功率压电陶瓷变压器用材料优良的备选体系.  相似文献   
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