退火对ZnO薄膜结构及缺陷的影响

采用射频反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,采用X线衍射(XRD)、X线光电子能谱(XPS)分析方法研究了退火对ZnO薄膜结构及缺陷的影响.结果表明,随着退火温度的上升,薄膜的择优取向及取向一致性更好,晶化程度增高,晶粒尺寸变大.退火使更多的Zn间隙原子回到晶格位置,并弥补薄膜中氧的...     

衬底温度对AIN薄膜结构及电阻率的影响

采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AIN薄膜,利用XRD、原子力显微镜(AFM)、电流-电压(I-V)测试仪等对不同衬底下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征.结果表明:随着衬底温度的升高,晶粒逐渐长大,AIN(002)择优取向明显改善,600℃达到最佳.一定范围内提高温度使晶粒均匀、致密,有利于改善表面粗糙情况和提高电阻率,550℃时表面粗糙度达到最低(2.8 nm)且有最大的电阻率(3.35×1012Ω·cm);同时薄膜应力随温度升高有增大趋势.     

LY12铝合金表面阳极氧化膜的制备、分析及耐磨性

为了进一步提高铝合金的表面性能,以微弧氧化为参考,改进传统阳极氧化工艺,制备了氧化膜.对氧化膜的厚度、微观形貌、元素进行了测试和分析,并定性研究了4种工艺参数对膜质量的影响,最后通过磨损试验对膜的耐磨性进行了验证.结果表明:在交流电电流密度为4.5A/dm2,电解液(H2SO4)质量分数为15%,温度为10～15℃时反应40 min,获得到的氧化膜耐磨性优良.     

衬底温度对AlN薄膜结构及电阻率的影响

采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AlN薄膜,利用XRD、原子力显微镜(AFM)、电流-电压(I-V)测试仪等对不同衬底下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征。结果表明:随着衬底温度的升高,晶粒逐渐长大,AlN(002)择优取向明显改善,600℃达到最佳。一定范围内提高温度使晶粒均匀、致密,有利于改善表面粗糙情况和提高电阻率,550℃时表面粗糙度达到最低(2.8 nm)且有最大的电阻率(3.35×1012Ω.cm);同时薄膜应力随温度升高有增大趋势。