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1.
以Mo与AlN为原料,复合氧化物为烧结助剂,通过常规的成形烧结工艺制备出了Mo含量为30%~40%(质量分数)的Mo/AlN金属陶瓷烧结体。对烧结体的微观结构进行观测,并对其导热系数及力学性能等进行了测试分析,采用矢量网络分析仪对其反射衰减率进行测量,并与纯AlN材料进行了对比。结果表明:通过采用适当的烧结助剂,在1750℃下无压烧结,可以获得相对密度高于98%的Mo/AlN金属陶瓷复合材料烧结体。该烧结体的抗弯强度与导热系数随着Mo含量的增加而提高,含40%Mo(质量分数)试样的抗弯强度和导热系数分别为531.4MPa和156.1W/m.K:不同Mo含量Mo/AlN试样在不同的频段内出现宽频吸收,其中含40%Mo(质量分数)的试样在14~18GHz频率内呈现较宽的吸收频段,最大反射衰减量为-22dB。  相似文献   
2.
通过凝胶浇注法制备了TiO2掺杂量为0-15%(摩尔分数)的T1O2-Ce0.8Sm0.2O1.9(TixCe0.8xSm0.2O2-y,TSDC)粉体。采用X射线衍射、透射电镜对所得粉体的相组成和颗粒形貌进行了测试分析,考察了粉体的烧结性能。此外,还测定了不同组成TSDC烧结体在空气和氢气气氛中的电导率。研究结果表明:凝胶浇注所得干凝胶在较低温度(500℃)下煅烧后,TiO2和Sm2O3即能完全固溶进CeO2晶格中,形成具有单一立方相结构和纳米粒度的TSDC粉体,且粉体粒径随TiO2掺杂量的增加而增大。上述粉体具有较高的烧结活性,其成形压坯在1400℃烧结后,相对密度可达95%以上。此外,测试气氛对TSDC材料的电导率有明显的影响,在空气中,随着TiO2掺入量的增大,TSDC材料的电导率减小,而在H2气氛中,电导率则明显增大,TiO2的掺入,降低了电导活化能。  相似文献   
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