K3C60单晶薄膜制备及表征

根据K在C60晶体中的扩散系数分析了在C60（111）单晶解理面上制备K3C60单晶膜的实验条件。对制备出的样品进行了角分辨光电子谱研究。结果表明样品确实为K3C60单晶，并首次观察到K3C60的能带色散。     

SiTi1—xSbxO3透明导电薄膜的光电子能谱研究

我们用XPS和同步辐射技术研究了钙钛矿型氧化物SrTi1-xSbxO3(x=0,0.05,0.10,0.15,0.20）薄膜的电子结构。该薄膜系列在可见光波段透明，其透过率均超过90％。所有掺杂薄膜均导电。同步辐射电子能谱研究结果表明该薄膜中来自Sb杂质的退局域化电子在母化合物的禁带中引入了杂质能级。这是导电性的根源，价带中很小的电子态密度限制了跃迁几率。大的禁带宽度和小的跃迁几率是光学透明性的原因。     

C60单晶电子结构的同步辐射光电子谱研究

测量了C60单晶[111]方向的同步辐射角分辨光电子谱。观察到HOMO能带和HOMO－1能带明显且有规律的色散。色散曲线与LDA理论结果符合得较好。     

气相纯化处理对碳纳米管修饰的XANES和XPS谱学研究

结合X射线近边吸收谱和光电子能谱对经过一系列纯化过程处理后的单壁碳纳米管进行系统的表征.这些纯化过程包括空气氧化、盐酸浸泡以及退火处理.从实验结果发现单壁碳纳米管的表面修饰程度在纯化过程中逐渐增强,经过Ar气保护下的高温退火后,这些表面修饰明显减少.同时还发现单壁碳纳米管能与氯原子成键,这种简单的修饰方法可能对单壁碳纳米管的应用具有重要意义.     

北京同步辐射光电子能谱实验站近期研究概况

随着北京同步辐射光电子能谱实验站持续稳定的开放运行，用户基于该实验站提供的光电子能谱各种实验模式开展了从金属表面界面电子结构到纳米材料、掺杂金属富勒烯以及磁电阻氧化物体系电子结构的研究工作。本中选择部分具有代表性的实验结果进行介绍。     

VUV光束线381B的改建

北京同步辐射实验室3BIB光束线为VUV真空紫外光束线，由于原束线存在接收度过小(光强弱)、光学元件易污染(真空差)、实验条件较差等问题，因此该束线一直未能很好满足实验站的要求。2001年起开始对原束线进行改建设计，改进束线能量范围为120-350am。束线在2003年3月完成调试并投入使用。本文介绍了改建束线的光学设计以及建成后的束线性能测试结果。     

4B9B束线低能分支的性能改进

本在分析了北京同步辐射室4B9B原束线低能分支的构造及弊病后，在不影响束线高能分支性能及总体机械结构的基础上提出了改进方案。中不仅详细介绍了该设计方案，同时也介绍了97年4月份专用光开始前夕的调试工作及出光后束线的性能测试工作，测试结果完全符合设计要求。该束线在这次同步辐射专用光实验中充分发挥了改进后的优势，取得了令人满意的结果。     

C60单晶价带色散的同步辐射光电子谱研究

测量了C60单晶（111）解理面法向发射的角分辨光电子谱。利用同步辐射光源研究了对应于分子轨道HOMO及HOMO－1的能带的色散关系。实验观察到HOMO和HOMO－1能带在Г－L方向存在明显的色散，最大色散分别为0.27eV和0.42eV色散曲线与理论电子结构基本符合。     

葡聚糖修饰Fe_3O_4磁性纳米粒子的同步辐射光电子能谱研究

在纳米Fe3O4表面修饰葡聚糖可在粒子表面建立空间位阻稳定层,不仅提高了纳米粒子在水中的分散稳定性,还增强了纳米粒子的生物相容性.本文在柠檬酸钠介质中合成了葡聚糖修饰的Fe3O4纳米粒子,采用同步辐射X射线光电子能谱(XPS)对未经修饰和葡聚糖修饰后的Fe3O4纳米粒子表面的化学组分、表面原子的化学结构、化学键合情况进行了定性和定量分析,并给出葡聚糖修饰Fe3O4纳米粒子的反应机理.结果表明,反应体系中的柠檬酸钠首先在Fe-O-C键包覆到Fe3O4纳米粒子表面,然后葡聚糖分子与纳米粒子外的COO-以氢键结合并同时发生葡聚糖大分子缠绕包裹连接到纳米粒子表面,这大大增强了反应体系的分散稳定性和葡聚糖修饰氧化铁纳米粒子的亲水性.     

K3C60单晶膜制备及同步辐射光电子谱表征

根据钾在C60晶体中的扩散系数分析了在C60单晶解理面上制备K3C60单晶膜的实验条件。对据此制备出的样品进行了角分辨光电子谱研究。结果表明样品确定为K3C60单晶，并首次观察到K3C60的能带色散。