新型高储能密度聚合物基绝缘材料

新型高储能密度聚合物基绝缘材料由于应用潜力巨大,在近些年来发展速度很快。本文简单介绍该材料的重要性,解释电介质材料的储能机理、介电常数、电位移、击穿场强与储能密度之间的关系,以及计算储能密度和充放电效率的方法,然后分别对聚合物电介质和复合电介质材料研究进展进行概述,重点讨论材料的制备策略、加工工艺、微观/宏观机理分析和性能表征,并在文章最后对高储能密度聚合物基绝缘材料进行总结和展望。     

高热导率无机填料／硅橡胶复合绝缘材料的电性能

分别添加不同含量的微米Al2O3（0．5～3μm）、微米Si3N4（O．3～3μm）和纳米Al2O3（13nm）,利用共混法制备了具有不同导热性能的无机填料／硅橡胶复合材料。填料体积分数为30％时,通过改变微米Si3N4和纳米Al2O3体积比,发现微米Si3N4和纳米Al2O3共填充的硅橡胶复合材料的热导率较微米Si3...     

新型硅橡胶基压阻敏感复合材料制备及其性能研究

以多壁碳纳米管(MWNT)和纳米二氧化硅作为助填料,采用三辊研磨机制备了(MWNT-SiO2)/RTV复合材料,研究其压阻和介电性能.结果表明,纳米SiO2经KH570改性,其在基体中分散性及界面结合提高;(MWNT-SiO2)/RTV复合材料压力敏感性增强,当外界压力为150N时,含5％二氧化硅的复合材料相对电阻是M...     

聚合物中水树的研究现状

介绍了对水树概念的最新认识 ,总结了对水树的分类、水树发生和进展中的许多问题进行了讨论。从实际应用角度出发 ,文章最后简要的介绍了由水树引起的绝缘老化的诊断方法。     

无机纳米/聚酰亚胺复合杂化膜的绝缘特性研究

将无机纳米粒子(TiO2)分散在聚酰胺酸(PAA)前躯体中,经过原位聚合的方法制备出纳米TiO2粒子分散均匀的聚酰亚胺/纳米TiO2复合杂化膜,研究了不同掺杂含量对杂化膜的介电、物理等特性的影响,建立了耐电晕模型。同时通过FTIR研究其亚胺化程度以及用SEM分析纳米粒子在聚酰亚胺基体中的分散状态。结果表明,纳米粒子在PI基体中分散均匀,TiO2的引入对杂化膜的介电常数、介质损耗因数、电气强度和耐电晕性能产生了很大的影响,随着TiO2含量的增加,耐电晕性能得到大幅度的提高,TiO225%含量时介电常数为5.1左右,介质损耗因数在0.03以下,电气强度为110 MV/m,并在实验的基础上初步建立了耐电晕性能的老化机理。因此,在高耐热性绝缘材料中均匀分散一些纳米无机粒子,可以大幅度提高抗高频脉冲尖峰电压和耐电晕等方面的性能。     

聚酰亚胺/介孔二氧化硅复合薄膜的介电性能研究

采用原位分散聚合法制备了聚酰亚胺(PI)/介孔二氧化硅(MCM-41)复合薄膜。利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)观察到MCM-41粒子规整的六方立体结构,通过扫描电子显微镜(SEM)研究了MCM-41粒子在聚酰亚胺基体中的分散状态以及MCM-41粒子添加量对该复合薄膜介电性能的影响。结果表明:PI复合薄膜的体积电阻率和电气强度都有不同程度的提高。与纯PI相比,MCM-41含量为3.0%时,复合薄膜体积电阻率提高了一个数量级,由2.8×1014Ω.m增至2.1×1015Ω.m,同时介电常数从3.26降至2.86,介质损耗因数无显著变化。     

四针状氧化锌晶须/聚四氟乙烯复合材料的电气性能研究

采用冷压烧结的成型工艺制备了四针状氧化锌晶须(T-ZnO<,w>)/聚四氟乙烯(PTFE)复合材料,研究了不同掺杂含量对复合材料的介电性能及抗静电性能的影响.结果表明:随着晶须填料掺杂含量的增加,复合材料的介电常数增大,但介电强度和绝缘电阻率下降;复合材料的电场强度-电流密度(E-J)曲线对应的场强阈值随着T-ZnO<...     

极性分子添加物对聚乙烯中空间电荷积累的影响

本文利用电声脉冲法研究了 4种极性分子添加物对聚乙烯中空间电荷形成的影响。试验结果表明 ,乙烯 -丙烯酸共聚物 (EAA)和 Ba Ti O3对聚乙烯中空间电荷的形成有较明显的抑制作用。最后用添加物分子的基团偶极矩数据对抑制聚乙烯中空间电荷效应做出了一定的解释