Ka波段自偏置微带边导模隔离器仿真设计与性能

基于M型锶六角铁氧体的高各向异性场,采用HFSS软件设计了中心频率在28.2GHz的自偏置边导模隔离器。仿真结果表明,在28.2GHz附近,插入损耗为6dB,隔离度大于38dB,20dB以下隔离带宽约为3.5GHz。采用传统固相反应法制备SrM六角铁氧体材料基片并用丝网印刷工艺实现基片上的微带电路,根据设计的结构参数制备了自偏置边导模隔离器。测试结果表明,该自偏置隔离器在27~29GHz范围内,表现出强烈的非互易性,插入损耗小于10dB,最大隔离度大于45dB。由于不需要外加偏置磁场,器件实现了小型化,宽频带,仿真与实测吻合得较好。     

高频应用的NiZn铁氧体磁性能影响因素研究

讨论了Fe2O3、Co2O3、烧结温度对高频应用的NiZn铁氧体磁性能的影响,实验研究了Fe2O3、Co2O3和烧结温度对起始磁导率μi、饱和磁感应强度Bs、矫顽力Hc及样品密度d的影响规律.结果发现,当x(Fe2 O3)=45％～49％时,μi从11单调增加到17,材料的B.从176 mT单调增加到223 mT;当w(Co2O3)=0.4％～2.0％时,μi从20单调降低到11;烧结温度为1 040～1 120℃时,μi从12增加到19,Hc从1 543 A/m降低到926 A/m,d从4.97 g/cm3增加到了5.12 g/cm3.最后,得到性能较好的高频应用NiZn铁氧体Ni0.96 Zn0.04Fe1.88O4(添加w(Co2 O3)=0.8％,w(CuO)=3％,1 080℃下烧结),μ1=11,Bs=195 mT,Hc=1 238 A/m,d=4.82 g/cm3.     

尖晶石型铁氧体薄膜的化学镀技术及其应用

介绍了最新的铁体磁性薄膜的化学镀技术，沉积机理及其应用 。     

Mn-Zn铁氧体材料磁导率直流叠加特性研究

对Mn-Zn铁氧体磁芯磁导率的直流叠加特性进行了研究.适当调整配方和掺杂对磁芯的直流叠加特性有积极的影响,理论分析了磁导率直流叠加特性与磁芯基本电磁参数(磁滞回线形状和功耗大小)的关系.     

高磁导率、高直流叠加MnZn软磁铁氧体材料研究

用普通陶瓷工艺制备MnZn铁氧体材料,研究了主配方及掺杂对材料直流叠加特性的影响.结果表明,主配方中适当过量的Fe2O3可以增大材料的饱和磁通密度,推迟磁芯的饱和磁化,从而改善材料的直流叠加特性;添加适量的Co2O3等杂质可与铁氧体负的磁晶各向异性常数K1进行补偿,从而改善材料磁导率的温度特性.     

应用于近场通信(NFC)的NiCuZn铁氧体材料制备与表征

采用传统陶瓷工艺制备了NiCuZn系铁氧体材料。采用流延法制备了长宽为125×125mm、厚度为50~200μm的NiCuZn铁氧体薄片。测试了铁氧体材料的微观形貌与磁导率谱,研究了材料微观形貌对材料的谐振频率的影响,讨论了Zn含量对材料的磁导率与谐振频率的影响,探讨了当铁氧体薄片应用于射频识别(RFID)系统时,铁氧体薄片的磁参数对可读写距离的影响,分析了应用不同材料可读写距离存在差异的原因。研究表明,材料的晶粒大部分处于单畴状态时有利于提高材料的谐振频率;随着Zn含量的减小,材料的磁导率逐渐降低、谐振频率逐渐增高。在磁导率虚部较小时,可读写距离与磁导率实部近似成正比。     

非晶磁性材料的磁阻抗(MI)效应

介绍了非晶磁性线的MI效应、基本特点,以及非晶磁性线、非晶磁性薄膜的制备。这种MI效应在传感器技术中有广泛的应用。     

CoFeZrRE磁性薄膜微波电磁特性研究

研究在微波段具有高磁导率和大磁损耗的CoFeZrRE薄膜,采用射频磁控溅射工艺制备该类薄膜,探讨了工艺参数和薄膜厚度对CoFeZrRE薄膜结构和电磁性能的影响.重点研究了掺杂稀土元素的含量和种类对薄膜磁各向异性、饱和磁化强度等基本磁参量以及微波磁导率和磁损耗的影响.结果表明,重稀土元素（如Dy,Tb）提高微波磁损耗的效果更显著;CoFeZrRE类薄膜具有较高的微波磁导率和磁损耗（2 GHz处,μ＇和μ＂均高于200）,有望在微波吸收和抗电磁干扰领域获得广泛应用.     

应用于高功率密度DC/DC变换器的铁氧体材料

高功率密度DC/DC变换器广泛应用于各种电子系统,对应用于其中的铁氧体材料提出了新的要求.分析了国内外DC/DC变换器的新近研究,总结了应用于这些高功率密度DC/DC变换器系统中的铁氧体磁性材料的主要特性,为结合实际需求进行高频低损耗铁氧体材料研发提供参考.