氮化铝薄膜作微波压电换能器的机电耦合系数测定

本文报道用微波压电换能器的输入导纳测定AIN压电薄膜机电耦合系数的方法。在微波频率下测得横向受夹厚度模AIH压电薄膜的机电耦合系数为O.13。这个结果略小于块材AIN的值,可能是由于所生长的AIN薄膜微晶C轴方向有—定的分散性和C轴反向性所致。从导纳测定结果上表明:抉能器中有一等效的串联电阻,这个串联电阻可用于说明匹配和调谐换能器存在损耗的原因。     

铁电陶瓷的极化运动学模型

铁电陶瓷中两种机电耦合效应的相互关系及机理是一个引入注目的研究课题。本文从经典的固有偶极子取向极化模型出发，考虑固有偶极子取向时的弛豫现象，提出了在恒外力作用下的运动学模型，由此得到了在一定条件下铁电陶瓷中两种机电耦合效应的关系，起因和作用范围。     

禹州电厂供氢系统的优化

在对市场进行调查的基础上,针对是否建制氢站作经济比较,得出结论,决定取消制氢站,由市场购氢。     

改性PZT陶瓷的大场诱应变效应

研究了改性锆钛酸铅（ＰＺＴ）陶瓷材料的场诱应变性能与组成的变化关系。结果表明，材料组成选取既位于９０°畴成份占较大比例的菱方相，且处于机电耦合特性较强的相界处，同时采用适量的等价离子Ａ位取代以及适量的Ａ位和Ｂ位施主掺杂，有利于实现大场诱应变小滞后特性。     

CMOS频率合成分频单元的混合微电路研制

本文概述了在20×15×0.3mm~3的微晶玻璃片上组装16个CMOS集成电路芯片的频率合成分频率单元微电路研制工作。该电路具有将晶体振荡器产生的频率按要求组成99个信道的功能。混合集成后的电路与原设计制作在印制版上的电路相比较,其表面积缩小了80倍,重量减轻20倍,且使频率的稳定性得以提高。这种CMOS电路的混合集成技术进一步发挥了CMOS电路工艺简单、集成度高、功耗低可靠性好的优势。     

用平面磁控溅射低温生长C轴择优取向的AIN薄膜

本文介绍了用 x-射线衍射仪、扫描电镜和透射电镜来分析用直流平面磁控溅射法在载波片上生长的 AIN 薄膜的结构,结果表明 AIN 薄膜的(002)晶面与基片表面平行,迴摆曲线分析得出标准偏差σ≈0.7°,俄歇谱分析结果表明制得的 AIN 薄膜是高纯的。这种方法适于制取 C轴高度择优取向 AIN 薄膜。     

AVT（O）＋PT在许昌龙岗电厂350MW汽包炉机组的应用

给水、炉水AVT(O) PT是一种最新的汽包炉给水、炉水组合处理方式。其在汽包压力18MPa机组应用特别具有典型意义。本文简介了其在许昌龙岗电厂两台350MW机组的应用情况和效果。     

偏压热刺激表面电位衰减：测量陷阱参数的新方法

针对现有的绝大部分陷阱能态分布测试方法都不能区分电子陷阱和空穴陷阱的贡献,而等温表面电位衰减虽能区分双载流子的贡献却耗时太长的缺点,本文提出一种能克服上述缺点的新方法——偏压热刺激表面电位衰减测试技术。这一方法所考虑的模型比较接近实际情况,并能快速而方便地分别测得电子陷阱和空穴陷阱的能级密度。