HFCVD法合成金刚石的初期生长过程

用XL30FEG扫描电镜对热丝化学气相沉积 (HFCVD)法合成的金刚石颗粒的初期生长过程进行了研究。结果表明 ,金刚石在 p -Si(10 0 )基片上的初始形核密度很高 ,可达 10 10 /cm2 ;在随后的颗粒长大过程中 ,颗粒快速长大 ,颗粒密度急剧减少 ;颗粒的长大速率随其尺寸的增大而减小 ,最后趋于一稳定值     

主应力轴循环旋转条件下重塑黏土变形特性试验研究

通过一组重塑黏土的循环扭剪试验对主应力轴单纯循环旋转条件下重塑黏土的不排水变形特性进行研究,试验中考虑中主应力系数、剪应力水平以及固结方式等的影响。试验结果表明即使在剪应力水平很低(q/p=0.033)的条件下,主应力轴单纯旋转也会引起重塑黏土显著的孔压累积。随着循环次数的增加不排水条件下重塑黏土会因为变形的迅速发展而破坏。中主应力系数对变形发展规律有较大影响,对孔压累积的影响相对不显著,相同剪应力水平下b=1时重塑黏土破坏时所需的循环次数最少,但孔压累计最慢。通过试验结果的分析认为旋转剪应力会对土体微观结构产生扰动而使土体颗粒重新排列,主应力轴旋转引起的变形特性主要还是归因于土体的塑性各向异性特性。     

改性还原染料分子自组装性的研究

利用偏光显微镜、摩尔电导率和紫外-可见光光谱研究了改性还原染料如还原蓝RSN、还原猩红GG和还原深蓝BO的自组装性能,考察了浓度、温度及染料混合对其分子自组装性能的影响,分析磺化还原染料分子自组装聚集体的类型及其形成机理,结果表明分子依靠芳环间π-π共轭作用、磺酸基和溶剂水之间氢键作用力,自组装为有序结构的聚集体.磺化还原蓝RSN、磺化还原深蓝BO水溶液分子自组装为H聚集体,磺化还原猩红GG形成J聚集体.分子结构和引入亲水基影响其自组装方式和类型,一定浓度下分子自组装形成溶致液晶相,正交偏振光下,织构呈丝状、条状和粒状分布,磺化还原染料混合组装的均匀性与其浓度直接相关.     

蜗轮滚刀崩裂原因分析

对崩裂滚刀进行了金相检验和扫描电镜观察分析，结果表明，造成滚刀崩裂的主要原因有二：①原材料锻造不充分，存在严重的网状、带状碳化物；②热处理回火不充分，存在较大的组织应力。     

金刚石膜与硬质合金基体间的界面状态

采用ＳＥＭ，ＴＥＭ对金刚石膜－硬质合金基体横截面的形态进行了研究，探讨了甲烷含量对ＣＶＤ金刚石膜－基横截面各组织层次的影响。结果表明，经化学侵蚀脱钴和等离子体刻蚀脱碳预处理的ＹＧ８硬质合金基体上所沉积的金刚石膜－基横截面组织的典型层次依次为：金刚石／薄的石墨碳中间层／细小的ＷＣ层／残留的脱碳层／残留的疏松层／ＹＧ８原始基体，甲烷含量对ＣＶＤ金刚石膜－基横截面各组织层次的形成有显著的影响。     

晶体硅太阳电池制备工艺进展

晶体硅太阳电池是目前应用最广、技术最为成熟的太阳电池，以晶体硅太阳电池生产流程为基础．主要从降低生产成本和提高电池转换效率方面出发，介绍了太阳电池制备工艺的最新进展，并对各种制备工艺作出了评价和展望。     

CVD金刚石形核的研究

在钢渗铬层和硅片上进行了化学气相沉积金刚石膜,发现在渗铬层上形成的金刚石膜以球形金刚石为主;用高倍扫描电子显微镜分析显示,渗铬层上的球形金刚石是由大量二次晶核长大的微晶金刚石和非晶碳组成.     

Cerium Oxide Film Prepared from Molten Salts

Cerium oxide film formed on the nickel electrode at 453 K in LiNO3-KNO3 molten salts. The molten salt back ground and the cathode process of Leeds on the nickel electrode were studied by using cyclic voltammetry. The cathodic reaction mechanism of the molten salt background was: O2+e O22; O2+2NO-3 → 2NO2+2O2. According to the results of SEM and XPS, cerium oxide film, which is composed of CeO2, can form on the nickel electrode at - 1.850 V vs. Ag/AgNO3 (0.1 mol/L) reference electrode.     

多晶硅薄膜太阳电池的研究与进展

从薄膜的沉积方式和沉积温度以及衬底材料等几方面综合分析了多晶硅薄膜制备工艺的特点及多晶硅薄膜太阳电池的最新研究进展。并以颗粒硅带(SSP)为衬底，采用快热化学气相沉积(RTCVD)法制备了多晶硅薄膜，随后制得的多晶硅薄膜太阳电池的效率达到6．05％。